| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-36页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 GaN HEMT的国内外研究现状 | 第12-34页 |
| 1.2.1 器件方面 | 第12-16页 |
| 1.2.2 模型方面 | 第16-28页 |
| 1.2.3 高效率功率放大器方面 | 第28-34页 |
| 1.3 本文的主要研究内容与创新 | 第34-36页 |
| 第二章 GAN HEMT工作原理与模型研究 | 第36-49页 |
| 2.1 引言 | 第36页 |
| 2.2 GaN HEMT结构与工作原理 | 第36-37页 |
| 2.3 小信号等效电路模型研究 | 第37-44页 |
| 2.3.1 小信号等效电路模型拓扑 | 第37-38页 |
| 2.3.2 参数提取 | 第38-43页 |
| 2.3.3 模型验证 | 第43-44页 |
| 2.4 大信号等效电路模型研究 | 第44-47页 |
| 2.4.1 GaN HEMT直流I-V特性经验模型 | 第44-46页 |
| 2.4.2 GaN HEMT非线性栅电容模型 | 第46页 |
| 2.4.3 GaN HEMT大信号模型验证 | 第46-47页 |
| 2.5 GaN HEMT统计模型研究 | 第47-48页 |
| 2.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 第三章 Pi型网络E类功率放大器研究与设计 | 第49-79页 |
| 3.1 引言 | 第49页 |
| 3.2 电路描述 | 第49-51页 |
| 3.3 电路分析 | 第51-53页 |
| 3.4 开关电流电压波形分析 | 第53-64页 |
| 3.4.1 最大负载电阻 | 第53-55页 |
| 3.4.2 最大工作频率 | 第55-57页 |
| 3.4.3 并联谐振 | 第57-59页 |
| 3.4.4 二次谐波并联谐振 | 第59-60页 |
| 3.4.5 分谐波并联谐振 | 第60-61页 |
| 3.4.6 最大输出功率能力 | 第61-64页 |
| 3.5 Pi型网络E类功率放大器的负载网络 | 第64-70页 |
| 3.5.1 负载网络 | 第64-69页 |
| 3.5.2 宽带设计 | 第69-70页 |
| 3.6 Pi型网络E类功率放大器设计 | 第70-78页 |
| 3.6.1 电路设计 | 第70-74页 |
| 3.6.2 Pi型网络E类功率放大器结果分析 | 第74-78页 |
| 3.7 本章小结 | 第78-79页 |
| 第四章 Pi型网络EF_3类功率放大器设计 | 第79-92页 |
| 4.1 引言 | 第79页 |
| 4.2 GAN HEMT大信号缩放模型 | 第79-84页 |
| 4.2.1 拓扑结构 | 第80-81页 |
| 4.2.2 热子电路模型 | 第81-83页 |
| 4.2.3 陷阱效应色散模型 | 第83-84页 |
| 4.3 电路工作原理 | 第84-86页 |
| 4.4 电路设计 | 第86-89页 |
| 4.5 结果分析 | 第89-91页 |
| 4.6 本章小结 | 第91-92页 |
| 第五章 基于统计模型的高效率MMIC功率放大器设计 | 第92-103页 |
| 5.1 引言 | 第92页 |
| 5.2 C波段GaN HEMT功率放大器设计 | 第92-97页 |
| 5.3 基于响应曲面法的大信号等效电路统计模型 | 第97-99页 |
| 5.4 结果分析 | 第99-102页 |
| 5.5 本章小结 | 第102-103页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第103-106页 |
| 6.1 全文总结 | 第103-104页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第104-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-121页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第121-122页 |