| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-32页 |
| 1.1 引言 | 第16-17页 |
| 1.1.1. 关于红外光 | 第16页 |
| 1.1.2. 红外辐射理论简介 | 第16-17页 |
| 1.2 红外探测器的应用 | 第17-21页 |
| 1.2.1. 红外探测器军事领域应用 | 第17-19页 |
| 1.2.2. 红外探测在民事领域的应用 | 第19-21页 |
| 1.3 红外探测技术发展与分类 | 第21-26页 |
| 1.3.1. 热红外探测器 | 第21-23页 |
| 1.3.2. 红外光电探测器 | 第23-26页 |
| 1.4 纳米阵列红外光电探测器 | 第26-30页 |
| 1.5 本课题研究背景、意义和目的 | 第30-32页 |
| 第二章 Si纳米线阵列/Cu肖特基结的制备及其表征 | 第32-44页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 Si纳米线阵列的制备方法简介 | 第32-35页 |
| 2.3 实验药品与设备简介 | 第35-36页 |
| 2.3.1. 实验所用药品 | 第35页 |
| 2.3.2. 实验所用设备 | 第35-36页 |
| 2.4 Si纳米线阵列纳米线的制备与表征 | 第36-39页 |
| 2.4.1. Si纳米线阵列的制备 | 第36-37页 |
| 2.4.2. Si纳米线阵列的表征 | 第37-39页 |
| 2.5 Si纳米线阵列/Cu肖特基结制备与表征 | 第39-43页 |
| 2.5.1. Si纳米线阵列/Cu肖特基结制备 | 第39-40页 |
| 2.5.2. Si纳米线阵列/Cu肖特基结表征 | 第40-43页 |
| 2.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 Si纳米线阵列/Cu肖特基结近红外光电特性研究 | 第44-56页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 Si纳米线阵列/Cu肖特基结电学性能研究 | 第44-51页 |
| 3.3 器件性能分析和讨论 | 第51-54页 |
| 3.3.1. 理论模拟介绍 | 第51-52页 |
| 3.3.2. 器件理论模拟及其分析 | 第52-53页 |
| 3.3.3. Cu膜厚度对器件性能影响的研究 | 第53-54页 |
| 3.4 肖特基结能带机理 | 第54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 全文总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第62页 |