PbTe光伏探测器的研制
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·IV-VI族半导体背景介绍 | 第10-12页 |
| ·红外探测器及红外成象系统回顾 | 第12-15页 |
| ·红外探测器的原理及分类 | 第12-13页 |
| ·红外成像系统回顾 | 第13-15页 |
| ·本文的研究内容及意义 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第2章 PbTe外延薄膜物理特性研究 | 第19-26页 |
| ·IV-VI族半导体基本物理性质 | 第19-22页 |
| ·晶体结构 | 第19页 |
| ·能带结构 | 第19-21页 |
| ·有效质量、迁移率及介电常数等 | 第21-22页 |
| ·PbTe薄膜分子束外延生长 | 第22-24页 |
| ·样品特性 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第3章 PbTe光伏探测器器件模型 | 第26-39页 |
| ·光伏探测器的工作原理 | 第26-33页 |
| ·异质结的形成与空间电荷区 | 第26-27页 |
| ·能带图 | 第27-29页 |
| ·伏安特性 | 第29-30页 |
| ·光生伏特效应以及光伏探测器的工作原理 | 第30-33页 |
| ·PbTe光伏探测器器件模型 | 第33-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第4章 PbTe光伏探测器流片工艺及测试 | 第39-62页 |
| ·PbTe光伏探测器流片工艺 | 第39-48页 |
| ·PbTe光伏探测器的测试 | 第48-60页 |
| ·I-V特性 | 第49-50页 |
| ·响应度与响应光谱 | 第50-55页 |
| ·噪声等效功率(NEP)及探测率D~* | 第55-57页 |
| ·优值因子R_0A | 第57-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第5章 工作总结与展望 | 第62-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
