| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·薄膜晶体管研究背景 | 第13-17页 |
| ·薄膜晶体管发展 | 第13-14页 |
| ·薄膜晶体管在TFT-LCD中应用 | 第14-16页 |
| ·薄膜晶体管在新型显示技术中的应用 | 第16-17页 |
| ·论文研究意义 | 第17-20页 |
| ·氧化物薄膜晶体管研究现状 | 第20-27页 |
| ·ZnO-TFT | 第20-22页 |
| ·In_2O_3-TFT | 第22-23页 |
| ·ZnSnO-TFT | 第23-25页 |
| ·其他非晶氧化物TFT | 第25-27页 |
| ·实验主要测试和研究方法 | 第27页 |
| ·本文研究主要内容及章节安排 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-34页 |
| 第二章 薄膜晶体管制备和研究 | 第34-44页 |
| ·TFT的结构和工作原理 | 第34-38页 |
| ·TFT基本结构 | 第34-35页 |
| ·TFT工作原理 | 第35-37页 |
| ·TFT主要性能参数 | 第37-38页 |
| ·氧化物TFT制作 | 第38-43页 |
| ·器件结构和材料选择 | 第38-39页 |
| ·栅电极制作(ITO) | 第39-40页 |
| ·绝缘层制作 | 第40页 |
| ·有源层制作 | 第40-41页 |
| ·源漏电极制作 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第三章 ZnO和In_2O_3薄膜晶体管性能测试 | 第44-49页 |
| ·ZnO-TFT的制备和研究 | 第44-46页 |
| ·ZnO材料介绍 | 第44页 |
| ·ZnO薄膜特性测试 | 第44-45页 |
| ·ZnO-TFT电学特性 | 第45-46页 |
| ·In_2O_3-TFT的制备和研究 | 第46-48页 |
| ·In_2O_3薄膜特性测试 | 第46-47页 |
| ·In_2O_3-TFT电学特性 | 第47-48页 |
| ·总结 | 第48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第四章 ZnSnO-TFT的制备和研究 | 第49-60页 |
| ·ZnSnO薄膜 | 第49页 |
| ·铝Al作为源漏电极的ZnSnO-TFT | 第49-52页 |
| ·In_2O_3作为源漏电极制作全透明ZnSnO-TFT | 第52-56页 |
| ·同一衬底上器件的均匀性 | 第56-57页 |
| ·器件在扫描电压下的稳定性 | 第57-59页 |
| ·本章总结 | 第59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第五章 非晶态氧化物TFT模拟 | 第60-66页 |
| ·物理模型 | 第60-62页 |
| ·非晶硅TFT模型介绍 | 第60页 |
| ·模型分析 | 第60-62页 |
| ·特性曲线拟合 | 第62-64页 |
| ·结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 第六章 工作总结和展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 附录 | 第69-71页 |