| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-21页 |
| ·选题背景与意义 | 第7-8页 |
| ·红外探测器的发展及其分类 | 第8-11页 |
| ·红外探测器的发展历程 | 第8-9页 |
| ·红外焦平面探测器的分类 | 第9-11页 |
| ·倒焊混成式 InSb 红外焦平面探测器 | 第11-16页 |
| ·倒焊混成式 InSb 红外焦平面探测器结构 | 第11-13页 |
| ·倒焊混成式 InSb 红外焦平面探测器的互联 | 第13-14页 |
| ·探测器内部底充胶填充 | 第14-15页 |
| ·InSb 芯片背减薄及表面末处理 | 第15-16页 |
| ·探测器可靠性研究进展 | 第16-19页 |
| ·论文工作和结构安排 | 第19-21页 |
| ·论文工作 | 第19-20页 |
| ·论文结构安排 | 第20-21页 |
| 第2章 热应力耦合分析理论基础 | 第21-32页 |
| ·传热学理论基础 | 第21-25页 |
| ·温度场、温度梯度和热流矢量 | 第21-22页 |
| ·热量传递的三种形式 | 第22-24页 |
| ·传热问题的边界条件 | 第24-25页 |
| ·弹性理论基础 | 第25-27页 |
| ·应力应变状态 | 第25-26页 |
| ·弹性问题的微分求解 | 第26-27页 |
| ·热弹性理论基础 | 第27-29页 |
| ·热变形和热应力 | 第27页 |
| ·热弹性力学及其方程 | 第27-29页 |
| ·热-应力耦合的有限元公式 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 红外焦平面探测器的建模与求解 | 第32-49页 |
| ·有限元方法与 ANSYS | 第32-33页 |
| ·有限元方法的思想和步骤 | 第32-33页 |
| ·有限元分析软件—ANSYS | 第33页 |
| ·三维模型建立 | 第33-35页 |
| ·InSb 红外焦平面探测器的等效建模思想 | 第33-34页 |
| ·InSb 红外焦平面探测器模型建立 | 第34-35页 |
| ·三维模型的网格划分 | 第35-45页 |
| ·材料参数的选取和单元的选择 | 第35-40页 |
| ·网格划分 | 第40-45页 |
| ·载荷的施加与求解 | 第45-48页 |
| ·热耦合方式的选择 | 第45-46页 |
| ·载荷的施加和求解 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 仿真结果分析 | 第49-65页 |
| ·InSb 红外焦平面探测器热分析 | 第49-52页 |
| ·探测器降温曲线 | 第49-51页 |
| ·传导降温与均匀降温方式的对比 | 第51-52页 |
| ·InSb 红外焦平面探测器应力分析 | 第52-57页 |
| ·InSb 芯片上应力变化分析 | 第52-53页 |
| ·与均匀降温方式下的应力对比 | 第53-55页 |
| ·热-应力耦合分析正确性评估 | 第55-57页 |
| ·InSb 芯片碎裂原因浅析 | 第57-60页 |
| ·材料参数的选取对 InSb 芯片应力的影响 | 第60-63页 |
| ·探测器的材料和结构参数优化 | 第60页 |
| ·底充胶不同的热传导系数对 InSb 芯片应力的影响 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第5章 总结与展望 | 第65-67页 |
| ·工作总结 | 第65-66页 |
| ·工作展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第73页 |