| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·红外探测器的发展历史与发展方向 | 第12-15页 |
| ·国内外发展现状 | 第15-17页 |
| ·研究目的与意义 | 第17-18页 |
| ·本文主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 InGaAs MSM-PD 工作原理及理论分析 | 第19-41页 |
| ·InGaAs 材料的基本特性 | 第19-21页 |
| ·MSM 器件的基本结构和工作原理 | 第21-24页 |
| ·MSM-PD 器件的一维模型 | 第24-31页 |
| ·MSM 探测器的主要性能参数 | 第31-35页 |
| ·带宽 | 第31-34页 |
| ·量子效率和响应度 | 第34-35页 |
| ·暗电流和探测率 | 第35页 |
| ·MSM 器件的电路模型及其分析 | 第35-39页 |
| ·低频增益 | 第36-37页 |
| ·速度饱和 | 第37页 |
| ·非线性增益 | 第37-38页 |
| ·表面效应 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 结构设计与优化 | 第41-51页 |
| ·器件性能改善途径 | 第41-49页 |
| ·量子效率 | 第42-45页 |
| ·暗电流 | 第45-46页 |
| ·带宽 | 第46-49页 |
| ·器件设计及模拟 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 器件工艺及封装 | 第51-61页 |
| ·MOCVD 的基本介绍 | 第51-52页 |
| ·MOCVD 系统及原理 | 第52-54页 |
| ·工艺流程 | 第54-60页 |
| ·外延工艺 | 第54-55页 |
| ·器件后工艺 | 第55-59页 |
| ·器件封装工艺 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 实验平台搭建及数据测试 | 第61-75页 |
| ·实验平台搭建 | 第61-66页 |
| ·电控平移台系统搭建 | 第61-64页 |
| ·脉冲激光器 | 第64-66页 |
| ·数据测试 | 第66-75页 |
| ·时间响应 | 第66-72页 |
| ·光谱响应及其响应度 | 第72-75页 |
| 第六章 总结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第81页 |