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掺铈溴化镧晶体的生长及其性能的各向异性研究

致谢第1-6页
摘要第6-7页
Abstract第7-12页
图清单第12-14页
表清单第14-15页
1 绪论第15-34页
   ·引言第15-16页
   ·LaBr_3:Ce 晶体基本性质第16-21页
     ·晶体结构和性能第16-17页
     ·晶体的发光性能第17-21页
   ·表征 LaBr_3:Ce 晶体性能的参数第21-27页
     ·荧光光谱第21页
     ·透过率第21-22页
     ·光输出第22-23页
     ·能量分辨率第23-24页
     ·衰减时间第24页
     ·温度效应第24-26页
     ·辐照硬度第26-27页
   ·LaBr_3:Ce 晶体国内外研究现状第27-29页
   ·闪烁晶体各向异性效应的研究动态第29-32页
     ·PbWO4(PWO)晶体第30页
     ·焦硅酸镥(Lu_2Si_2O_7:Ce~(3+), LPS:Ce)晶体第30-31页
     ·掺铈铝酸钇(YAlO_3:Ce)晶体第31页
     ·硼酸钡钇(YBa_3B_9O_(18):Ce)晶体第31页
     ·钼酸钙(CaMoO_4)晶体第31页
     ·掺铈硅酸钇镥(LuxY_2-xSiO_5:Ce, LYSO:Ce)晶体第31页
     ·掺铈溴化镧(LaBr_3:Ce)和氯化镧(LaCl_3:Ce)晶体第31-32页
   ·本论文选题依据与研究内容第32-34页
     ·选题依据第32-33页
     ·研究内容第33-34页
2 LaBr_3:Ce 晶体生长和性能表征方法第34-47页
   ·仪器设备和晶体原料第34-35页
   ·LaBr_3:Ce 晶体的生长方法第35-39页
     ·LaBr_3:Ce 晶体的生长方法第35-36页
     ·晶体坩埚第36-37页
     ·晶体生长炉第37-38页
     ·影响 LaBr_3:Ce 晶体生长的因素第38-39页
   ·LaBr_3:Ce 晶体的加工与封装第39-42页
     ·晶体的加工工艺第39-41页
     ·晶体的封装工艺第41-42页
   ·晶体性能表征方法第42-46页
     ·同步热分析仪第42-43页
     ·X 射线衍射仪第43页
     ·荧光光谱仪第43-44页
     ·紫外-可见分光光度计第44页
     ·X 射线激发发射光谱仪第44页
     ·脉冲高度能谱仪第44-45页
     ·热膨胀仪第45页
     ·万能电子拉伸试验机第45-46页
   ·本章小结第46-47页
3 LaBr_3:Ce 晶体生长与性能表征第47-61页
   ·引言第47页
   ·LaBr_3:Ce 晶体的生长第47-53页
     ·LaBr_3:Ce 晶体的生长第47-52页
     ·晶体生长的温场第52-53页
   ·LaBr_3:Ce 晶体的性能表征第53-60页
     ·晶体的潮解性能第53-54页
     ·晶体结构表征第54-55页
     ·晶体的热分析第55页
     ·晶体的荧光光谱第55-56页
     ·晶体的衰减时间光谱第56-57页
     ·晶体的透过光谱第57-58页
     ·晶体的能量分辨率和时间分辨率图谱第58-60页
   ·本章小结第60-61页
4 LaBr_3:Ce 晶体的各向异性效应第61-78页
   ·引言第61页
   ·LaBr_3:Ce 晶体结构与解理特性的各向异性第61-65页
     ·晶体结构的各向异性第61-63页
     ·晶体解理面的各向异性第63-65页
   ·晶体样品的制备第65-66页
   ·LaBr_3:Ce 晶体性能的各向异性第66-76页
     ·晶体紫外荧光光谱的各向异性第66-68页
     ·晶体 X 射线激发发射光谱的各向异性第68-69页
     ·晶体光输出的各向异性第69-70页
     ·晶体能量分辨率的各向异性第70页
     ·晶体衰减时间的各向异性第70-71页
     ·晶体热膨胀系数的各向异性第71-72页
     ·晶体力学性能的各向异性第72-74页
     ·晶体生长取向的各向异性第74-76页
   ·本章小结第76-78页
5 结论与展望第78-80页
   ·结论第78-79页
   ·论文创新点第79页
   ·展望第79-80页
参考文献第80-85页
作者简介第85页

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