致谢 | 第1-6页 |
摘要 | 第6-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
图清单 | 第12-14页 |
表清单 | 第14-15页 |
1 绪论 | 第15-34页 |
·引言 | 第15-16页 |
·LaBr_3:Ce 晶体基本性质 | 第16-21页 |
·晶体结构和性能 | 第16-17页 |
·晶体的发光性能 | 第17-21页 |
·表征 LaBr_3:Ce 晶体性能的参数 | 第21-27页 |
·荧光光谱 | 第21页 |
·透过率 | 第21-22页 |
·光输出 | 第22-23页 |
·能量分辨率 | 第23-24页 |
·衰减时间 | 第24页 |
·温度效应 | 第24-26页 |
·辐照硬度 | 第26-27页 |
·LaBr_3:Ce 晶体国内外研究现状 | 第27-29页 |
·闪烁晶体各向异性效应的研究动态 | 第29-32页 |
·PbWO4(PWO)晶体 | 第30页 |
·焦硅酸镥(Lu_2Si_2O_7:Ce~(3+), LPS:Ce)晶体 | 第30-31页 |
·掺铈铝酸钇(YAlO_3:Ce)晶体 | 第31页 |
·硼酸钡钇(YBa_3B_9O_(18):Ce)晶体 | 第31页 |
·钼酸钙(CaMoO_4)晶体 | 第31页 |
·掺铈硅酸钇镥(LuxY_2-xSiO_5:Ce, LYSO:Ce)晶体 | 第31页 |
·掺铈溴化镧(LaBr_3:Ce)和氯化镧(LaCl_3:Ce)晶体 | 第31-32页 |
·本论文选题依据与研究内容 | 第32-34页 |
·选题依据 | 第32-33页 |
·研究内容 | 第33-34页 |
2 LaBr_3:Ce 晶体生长和性能表征方法 | 第34-47页 |
·仪器设备和晶体原料 | 第34-35页 |
·LaBr_3:Ce 晶体的生长方法 | 第35-39页 |
·LaBr_3:Ce 晶体的生长方法 | 第35-36页 |
·晶体坩埚 | 第36-37页 |
·晶体生长炉 | 第37-38页 |
·影响 LaBr_3:Ce 晶体生长的因素 | 第38-39页 |
·LaBr_3:Ce 晶体的加工与封装 | 第39-42页 |
·晶体的加工工艺 | 第39-41页 |
·晶体的封装工艺 | 第41-42页 |
·晶体性能表征方法 | 第42-46页 |
·同步热分析仪 | 第42-43页 |
·X 射线衍射仪 | 第43页 |
·荧光光谱仪 | 第43-44页 |
·紫外-可见分光光度计 | 第44页 |
·X 射线激发发射光谱仪 | 第44页 |
·脉冲高度能谱仪 | 第44-45页 |
·热膨胀仪 | 第45页 |
·万能电子拉伸试验机 | 第45-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
3 LaBr_3:Ce 晶体生长与性能表征 | 第47-61页 |
·引言 | 第47页 |
·LaBr_3:Ce 晶体的生长 | 第47-53页 |
·LaBr_3:Ce 晶体的生长 | 第47-52页 |
·晶体生长的温场 | 第52-53页 |
·LaBr_3:Ce 晶体的性能表征 | 第53-60页 |
·晶体的潮解性能 | 第53-54页 |
·晶体结构表征 | 第54-55页 |
·晶体的热分析 | 第55页 |
·晶体的荧光光谱 | 第55-56页 |
·晶体的衰减时间光谱 | 第56-57页 |
·晶体的透过光谱 | 第57-58页 |
·晶体的能量分辨率和时间分辨率图谱 | 第58-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
4 LaBr_3:Ce 晶体的各向异性效应 | 第61-78页 |
·引言 | 第61页 |
·LaBr_3:Ce 晶体结构与解理特性的各向异性 | 第61-65页 |
·晶体结构的各向异性 | 第61-63页 |
·晶体解理面的各向异性 | 第63-65页 |
·晶体样品的制备 | 第65-66页 |
·LaBr_3:Ce 晶体性能的各向异性 | 第66-76页 |
·晶体紫外荧光光谱的各向异性 | 第66-68页 |
·晶体 X 射线激发发射光谱的各向异性 | 第68-69页 |
·晶体光输出的各向异性 | 第69-70页 |
·晶体能量分辨率的各向异性 | 第70页 |
·晶体衰减时间的各向异性 | 第70-71页 |
·晶体热膨胀系数的各向异性 | 第71-72页 |
·晶体力学性能的各向异性 | 第72-74页 |
·晶体生长取向的各向异性 | 第74-76页 |
·本章小结 | 第76-78页 |
5 结论与展望 | 第78-80页 |
·结论 | 第78-79页 |
·论文创新点 | 第79页 |
·展望 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-85页 |
作者简介 | 第85页 |