| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 主要符号对照表 | 第8-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-24页 |
| ·拓扑绝缘体综述 | 第9-15页 |
| ·二维拓扑绝缘体 | 第12-13页 |
| ·三维拓扑绝缘体 | 第13-14页 |
| ·拓扑绝缘体研究方向和发展前景 | 第14-15页 |
| ·二代拓扑绝缘体材料简介 | 第15-17页 |
| ·单晶薄膜生长基础 | 第17-22页 |
| ·薄膜外延生长的基础 | 第17-19页 |
| ·van der Waals 外延 | 第19-20页 |
| ·石墨烯衬底简介 | 第20-21页 |
| ·薄膜表面的缺陷 | 第21-22页 |
| ·低维受限量子体系 | 第22-23页 |
| ·论文结构和主要内容 | 第23-24页 |
| 第2章 实验原理和实验技术 | 第24-37页 |
| ·分子束外延（MBE）技术 | 第24-26页 |
| ·超高真空技术 | 第25-26页 |
| ·MBE 技术的应用 | 第26页 |
| ·扫描隧道显微镜（STM）技术 | 第26-34页 |
| ·STM 扫图成像原理 | 第27-29页 |
| ·主流 STM 的基本构造 | 第29-30页 |
| ·扫描隧道谱（STS）原理 | 第30-32页 |
| ·STM 针尖的处理 | 第32-33页 |
| ·极端条件的引入 | 第33-34页 |
| ·实验仪器介绍 | 第34-37页 |
| 第3章 双层 Bi(111)薄膜的生长及 Bi/Bi_2Te_3体系量子围栏的观测 | 第37-63页 |
| ·研究背景 | 第37-38页 |
| ·实验方法 | 第38-41页 |
| ·双层 Bi(111)薄膜的生长与界面表征 | 第41-46页 |
| ·Bi/Bi_2Te_3体系中狄拉克电子量子围栏的观测 | 第46-61页 |
| ·2DEG 散射和量子围栏的研究背景 | 第46-50页 |
| ·Bi/Bi_2Te_3体系实空间量子围栏的观测 | 第50-56页 |
| ·Bi/Bi_2Te_3体系 STS 观测以及准粒子寿命分析 | 第56-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第4章 Sb 掺杂的 Bi_2Te_3薄膜杂质共振态和表面态散射 | 第63-78页 |
| ·研究背景 | 第63-65页 |
| ·实验方法 | 第65-66页 |
| ·Bi_2Te_3薄膜的 STM 观测 | 第66-70页 |
| ·Sb 杂质对 Bi_2Te_3薄膜的掺杂效应 | 第70-77页 |
| ·Sb 杂质共振态的探测 | 第70-72页 |
| ·表面态散射的探测 | 第72-76页 |
| ·Sb 杂质占位的推断 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第5章 (Bi_xSb_(1-x))_2Te_3薄膜掺杂能带工程、表面态 Landau 量子化和杂质散射 | 第78-98页 |
| ·研究背景 | 第78-80页 |
| ·实验方法 | 第80-84页 |
| ·Sb_2Te_3薄膜的制备 | 第80-82页 |
| ·Bi 对 Sb_2Te_3薄膜表面的δ掺杂 | 第82-83页 |
| ·(Bi_xSb_(1-x))_2Te_3薄膜的制备 | 第83-84页 |
| ·(Bi_xSb_(1-x))_2Te_3薄膜的掺杂能带工程 | 第84-86页 |
| ·表面δ掺杂 Bi 的 Sb_2Te_3薄膜表面态 Landau 量子化 | 第86-95页 |
| ·掺杂薄膜在零磁场下的 STM/STS 观测 | 第88-91页 |
| ·不同掺杂浓度的薄膜在变磁场下的 STS 表征 | 第91-95页 |
| ·表面δ掺杂 Bi 的 Sb_2Te_3薄膜杂质散射的探测 | 第95-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 第6章 结论 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第115-116页 |
