SiC单晶的生长工艺优化及V掺杂单晶的制备
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1.文献综述 | 第10-20页 |
| ·SiC概述 | 第10-13页 |
| ·SiC的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·SiC的物理性能及应用 | 第11-12页 |
| ·SiC晶体的发展过程 | 第12-13页 |
| ·SiC单晶的制备原理 | 第13-15页 |
| ·研究半绝缘SiC晶体的意义 | 第15-16页 |
| ·半绝缘SiC单晶的制备方法 | 第16-17页 |
| ·钒掺杂SiC晶体的研究现状及存在的问题 | 第17-19页 |
| ·钒掺杂SiC晶体的研究现状 | 第17-18页 |
| ·钒掺杂SiC晶体的存在的主要问题 | 第18-19页 |
| ·论文研究的意义及内容 | 第19-20页 |
| 2. 实验设备 | 第20-26页 |
| ·生长设备 | 第20-21页 |
| ·设备性能测试 | 第21-25页 |
| ·气压 | 第21-23页 |
| ·温度 | 第23页 |
| ·温度梯度 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 3. SiC粉末制备及籽晶粘接 | 第26-38页 |
| ·SiC粉末的制备 | 第26-31页 |
| ·高纯SiC粉末的制备 | 第26-29页 |
| ·V掺杂SiC粉末的制备 | 第29-31页 |
| ·SiC籽晶的处理 | 第31-34页 |
| ·SiC籽晶的清洗 | 第31-32页 |
| ·TaC膜层的制备 | 第32-34页 |
| ·SiC籽晶的固定 | 第34-37页 |
| ·粘接剂法 | 第34-36页 |
| ·机械法 | 第36页 |
| ·粘结机械组合法 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 4. SiC晶体的生长 | 第38-48页 |
| ·SiC晶体的生长工艺 | 第38-39页 |
| ·晶体的生长结果 | 第39-47页 |
| ·不同粘结方式SiC晶体的生长结果 | 第39-41页 |
| ·气压对SiC晶体表面形貌的影响 | 第41-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 5. V掺杂半绝缘6H-SiC晶体的生长 | 第48-52页 |
| ·影响V掺入量的因素 | 第48-50页 |
| ·半绝缘SiC晶体的生长 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
