摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
目录 | 第8-10页 |
第一章 引言 | 第10-19页 |
·研究背景和意义 | 第10-14页 |
·国内外发展动态 | 第14-17页 |
·本文的主要工作 | 第17-19页 |
第二章 用于 LED 驱动 IC 的 700V 高压器件设计 | 第19-37页 |
·雪崩击穿原理简介 | 第19-21页 |
·RESURF 原理 | 第21页 |
·具有部分 N+埋层的 LDMOS 器件设计与仿真 | 第21-26页 |
·具有部分 N+埋层的 LDMOS 器件工作原理 | 第21-22页 |
·具有部分 N+埋层的 LDMOS 器件结构 | 第22-26页 |
·分段式 triple RESURF 器件结构设计 | 第26-30页 |
·triple RESURF 技术简介 | 第26-27页 |
·分段式 triple RESURF 器件结构设计 | 第27-30页 |
·其他结构设计与分析 | 第30-33页 |
·带有部分 N 埋层的分段式 triple RESURF 器件设计 | 第30-32页 |
·Flower RESURF 器件结构设计及分析 | 第32-33页 |
·BCD 工艺简介 | 第33-36页 |
·本章小结 | 第36-37页 |
第三章 700V 高压驱动 IC 电路设计 | 第37-59页 |
·电路的拓扑结构及分析 | 第37-39页 |
·芯片内部模块结构及分析 | 第39-58页 |
·芯片各模块及功能介绍 | 第39-40页 |
·REGULATOR 模块电路分析及仿真结果 | 第40-45页 |
·Vref 基准模块电路分析及仿真结果 | 第45-50页 |
·UVLO 欠压保护模块电路分析及仿真 | 第50-53页 |
·Iref 基准电流及比较模块电路分析及仿真 | 第53-55页 |
·Logic 逻辑模块电路分析及仿真 | 第55-58页 |
·本章小结 | 第58-59页 |
第四章 700V 高压 LED 驱动 IC 版图绘制 | 第59-67页 |
·版图介绍 | 第59页 |
·图论基本定义及原理 | 第59-62页 |
·图论基本定义及原理 | 第62-66页 |
·本章小结 | 第66-67页 |
第五章 结论 | 第67-69页 |
致谢 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-73页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第73-74页 |