高功率脉冲磁控溅射技术制备钛及氧化钛薄膜研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-20页 |
| ·高功率脉冲磁控溅射(HPPMS) | 第11-18页 |
| ·HPPMS技术的提出 | 第11-12页 |
| ·HPPMS技术的电源 | 第12-13页 |
| ·HPPMS的放电特征 | 第13-15页 |
| ·采用HPPMS沉膜的优缺点 | 第15-18页 |
| ·HPPMS今后的发展 | 第18页 |
| ·氧化钛薄膜的研究现状 | 第18-19页 |
| ·本文的选题意义和研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 实验装置与实验方法 | 第20-28页 |
| ·高功率脉冲磁控溅射设备 | 第20页 |
| ·基体材料的选择与处理 | 第20-21页 |
| ·电学参数的采集与计算 | 第21页 |
| ·HPPMS等离子体的特性表征 | 第21-23页 |
| ·发射光谱诊断 | 第21-22页 |
| ·等离子体密度的计算 | 第22-23页 |
| ·薄膜结构与表面形貌分析 | 第23-25页 |
| ·薄膜厚度与应力的测量 | 第24页 |
| ·薄膜相结构的分析 | 第24-25页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第25页 |
| ·薄膜的性能检测 | 第25-28页 |
| ·薄膜电阻率 | 第25-26页 |
| ·薄膜的耐腐蚀性能评价 | 第26页 |
| ·薄膜的润湿性 | 第26-27页 |
| ·薄膜血液相容性评价 | 第27-28页 |
| 第3章 纯钛薄膜制备 | 第28-39页 |
| ·纯钛薄膜的制备 | 第28页 |
| ·HPPMS沉积纯钛薄膜电学特性 | 第28-31页 |
| ·HPPMS放电等离子体诊断 | 第31-33页 |
| ·纯Ti薄膜沉积速率 | 第33-35页 |
| ·HPPMS与DCMS Ti膜沉积速率对比 | 第33页 |
| ·热峰现象 | 第33-35页 |
| ·纯Ti薄膜结构分析 | 第35-36页 |
| ·纯Ti薄膜表面形貌分析 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 氧化钛薄膜的制备及性能研究 | 第39-53页 |
| ·氧化钛薄膜的制备 | 第39页 |
| ·氧化钛薄膜沉积电学特性 | 第39-42页 |
| ·HPPMS放电等离子体诊断 | 第42-43页 |
| ·薄膜的沉积速率 | 第43-44页 |
| ·薄膜结构分析 | 第44-45页 |
| ·薄膜应力分析 | 第45页 |
| ·薄膜的电阻率 | 第45-46页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第46-48页 |
| ·耐腐蚀性评价 | 第48-49页 |
| ·薄膜润湿性 | 第49-50页 |
| ·薄膜血液相容性 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第62页 |
