| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| §1.1 川族氮化物材料概述 | 第10-12页 |
| §1.2 川族氮化物薄膜材料的MOCVD生长 | 第12-13页 |
| §1.3 c面GaN极化诱发内建电场 | 第13-16页 |
| §1.4 非极性氮化物材料与器件的发展 | 第16-18页 |
| §1.5 川族氮化物的主要研究方法 | 第18-21页 |
| §1.6 本文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-27页 |
| 第二章 a面GaN薄膜光学各向异性的研究 | 第27-47页 |
| §2.1 引言 | 第27-28页 |
| §2.2 非极性氮化物薄膜及其各向异性的起源 | 第28-32页 |
| ·非极性a面GaN薄膜 | 第28-29页 |
| ·a面GaN薄膜各向异性的起源 | 第29-32页 |
| §2.3 a面GaN薄膜的制备与SEM表征 | 第32-33页 |
| ·a面GaN薄膜的制备 | 第32-33页 |
| ·a面GaN薄膜的SEM表征 | 第33页 |
| §2.4 a面GaN薄膜光致偏振发光 | 第33-39页 |
| ·实验原理、装置及过程 | 第34-35页 |
| ·a面GaN带边光致偏振发光谱 | 第35-37页 |
| ·a面GaN光致偏振发光偏振度 | 第37-39页 |
| ·a面GaN光致偏振发光测试误差分析 | 第39页 |
| §2.5 a面GaN薄膜偏振透射、偏振吸收 | 第39-43页 |
| ·实验原理、装置及过程 | 第39-40页 |
| ·a面GaN薄膜偏振透射、偏振吸收谱测量 | 第40-43页 |
| §2.6 通过XRD验证a面GaN表面的c晶向 | 第43页 |
| §2.7 小结 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第三章 Mg掺杂Al_xGa_(1-x)N薄膜的阴极荧光特性研究 | 第47-57页 |
| §3.1 引言 | 第47页 |
| §3.2 Mg掺杂Al_xGa_(1-x)N阴极荧光检测 | 第47-52页 |
| ·薄膜的制备与实验装置 | 第47-48页 |
| ·Mg掺杂Al_xGa_(1-x)N中Mg相关杂质能带 | 第48-52页 |
| §3.3 Al_xGa_(1-x)N禁带宽度和弯曲系数b | 第52-54页 |
| §3.4 小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 结论 | 第57-58页 |
| 发表论文以及参加学术会议目录 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
