| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·国内外动态 | 第9-12页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第12-14页 |
| 第二章 功率放大器基本理论与GaN HEMT器件制备 | 第14-30页 |
| ·功率放大器基本理论 | 第14-23页 |
| ·功率放大器设计主要参数 | 第14-15页 |
| ·获取最佳阻抗的方法 | 第15-17页 |
| ·功率放大器类别 | 第17-19页 |
| ·偏置电路 | 第19-20页 |
| ·稳定性分析 | 第20-21页 |
| ·匹配网络 | 第21-23页 |
| ·GaN HEMT器件基本理论 | 第23-24页 |
| ·GaN HEMT器件制备与等效电路模型建立 | 第24-28页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件制备 | 第24-27页 |
| ·GaN HEMT等效电路模型 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 无源元件理论分析与仿真优化 | 第30-37页 |
| ·电容 | 第30-31页 |
| ·电阻 | 第31-32页 |
| ·电感 | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 X波段GaN基功率放大器的设计与分析 | 第37-59页 |
| ·功率放大器设计流程和拓扑结构 | 第37-38页 |
| ·设计过程 | 第38-52页 |
| ·最佳阻抗的选取 | 第39页 |
| ·稳定性分析 | 第39-40页 |
| ·匹配网络设计 | 第40-47页 |
| ·偏置电路设计 | 第47-49页 |
| ·微带线设计 | 第49-52页 |
| ·电磁场仿真与版图 | 第52-55页 |
| ·结果分析 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第65页 |