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提高GaN基倒装焊LED芯片外量子效率的方法研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-8页
1 绪论第8-17页
   ·课题学术及研究意义第8-11页
     ·LED 芯片概述第8-10页
     ·课题的研究意义第10-11页
   ·本课题国内外研究现状第11-16页
   ·本文研究目的与研究内容第16-17页
2 影响倒装焊 LED 芯片外量子效率的因素第17-25页
   ·LED 芯片的性能参数第17-19页
   ·芯片的折射率对外量子效率的影响第19-21页
   ·电流拥挤效应对外量子效率的影响第21-23页
   ·本文提出的倒装焊 LED 芯片结构第23-24页
   ·本章小结第24-25页
3 GaN 基倒装焊 LED 芯片出光结构的优化设计第25-41页
   ·LED 芯片结构模型与仿真方法第25-26页
   ·模拟结果与分析第26-32页
   ·蓝宝石双面图形化制备与光通量测试第32-40页
     ·双面图形化蓝宝石的制备第32-35页
     ·双面图形化蓝宝石出光性能的测试第35-40页
   ·本章小结第40-41页
4 倒装 LED 芯片电流传输模型第41-49页
   ·K.Kim 电流传输模型第41-43页
   ·电流传输模型的修正第43-45页
   ·电流传输模型仿真第45-48页
   ·本章小结第48-49页
5 GaN 基倒装焊 LED 芯片电极结构优化设计第49-59页
   ·不同电极结构 LED 芯片的电流密度仿真第49-52页
   ·仿真结果处理第52页
   ·仿真结果分析第52-58页
   ·结论第58-59页
6 总结及其展望第59-61页
   ·本文工作总结第59-60页
   ·有待进一步解决的问题和建议第60-61页
致谢第61-62页
参考文献第62-66页
附录第66页
 A. 作者在攻读学位期间发表的论文目录第66页
 B. 申请的专利第66页
 C. 参与的科研项目第66页

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