| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·声表面波技术发展历史及技术特点 | 第9-10页 |
| ·声表面波传感器的分类 | 第10-14页 |
| ·延迟线型 | 第10-12页 |
| ·谐振器型 | 第12-13页 |
| ·两类SAW 传感器的特点 | 第13-14页 |
| ·金刚石多层膜SAW 器件的特点及其材料工艺研究 | 第14-15页 |
| ·金刚石多层膜SAW 器件的特点 | 第14页 |
| ·金刚石多层膜SAW 器件的构造 | 第14-15页 |
| ·本课题的研究意义及主要工作 | 第15-17页 |
| ·国内外研究现状分析 | 第15-16页 |
| ·课题的研究目的和意义 | 第16-17页 |
| 第二章 双端SAW 谐振器 | 第17-23页 |
| ·SAWR 的构成 | 第17-19页 |
| ·叉指换能器 | 第17-18页 |
| ·反射栅 | 第18-19页 |
| ·双端SAW 谐振器 | 第19-23页 |
| ·双端SAW 谐振器的结构图 | 第19-20页 |
| ·双端谐振器的设计参数 | 第20-23页 |
| 第三章 ZnO 薄膜性质及表征手段 | 第23-35页 |
| ·ZnO 的性质 | 第23-24页 |
| ·ZnO 的结构及其特性 | 第23页 |
| ·ZnO 的压电效应 | 第23页 |
| ·压电材料的三个参数 | 第23-24页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第24-29页 |
| ·MOCVD | 第24-25页 |
| ·PLD | 第25-26页 |
| ·PECVD | 第26页 |
| ·MBE | 第26-27页 |
| ·ALD | 第27-28页 |
| ·磁控溅射法 | 第28-29页 |
| ·射频磁控溅射ZnO 方法 | 第29-31页 |
| ·预处理 | 第29-30页 |
| ·制备过程 | 第30-31页 |
| ·ZnO 薄膜的表征手段 | 第31-35页 |
| ·X 射线衍射分析法（XRD） | 第31-32页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第32-33页 |
| ·光致荧光光谱（PL） | 第33-34页 |
| ·半导体参数分析仪 | 第34-35页 |
| 第四章 缓冲层结构对硅衬底上ZnO 薄膜特性的影响 | 第35-45页 |
| ·缓冲层结构对SAWR 的影响 | 第35页 |
| ·衬底温度对缓冲层上ZnO 薄膜的影响 | 第35-45页 |
| ·无缓冲层（ZnO/Si） | 第36-38页 |
| ·Ti 缓冲层（ZnO/Ti/Si） | 第38-41页 |
| ·Au 缓冲层（ZnO/Au/Si） | 第41-45页 |
| 第五章 ZnO 薄膜缺陷的分析 | 第45-55页 |
| ·薄膜缺陷的测试方法 | 第45-46页 |
| ·不同衬底温度下缓冲层上ZnO 薄膜结构的PL 光谱 | 第46-51页 |
| ·不同温度下ZnO/Si 薄膜的PL 光谱 | 第46-47页 |
| ·不同温度下ZnO/Ti/Si 薄膜PL 光谱 | 第47-49页 |
| ·不同温度下ZnO/Au/Si 薄膜的PL 光谱 | 第49-51页 |
| ·缓冲层上ZnO 薄膜的缺陷分析 | 第51-55页 |
| ·Si 衬底与Ti 缓冲层/Si 衬底上ZnO 薄膜缺陷的比较分析 | 第51-54页 |
| ·Au 缓冲层/Si 衬底上ZnO 薄膜缺陷的分析 | 第54-55页 |
| 第六章 结论和展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
