| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·引言 | 第11-15页 |
| ·室温磁致冷材料的磁相变研究概述 | 第15-17页 |
| ·室温磁致冷材料的纳米化研究概述 | 第17-18页 |
| ·本论文的研究背景及科学意义 | 第18-19页 |
| ·本论文的研究思路、主要研究内容及技术路线 | 第19-23页 |
| 第二章 Ising模型及其应用 | 第23-47页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·Ising模型 | 第24-25页 |
| ·各维Ising模型中相变温度的统一计算 | 第25-34页 |
| ·Ising模型中最近邻和次近邻耦合相互作用的比较 | 第34-41页 |
| ·双链Ising模型中的自旋关联 | 第41-45页 |
| ·Ising模型在室温磁致冷材料中应用 | 第45-47页 |
| ·本章结论 | 第47页 |
| 第三章 Landau-Devonshire理论及其应用 | 第47-63页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·Landau-Devonshire理论 | 第49-51页 |
| ·GdSiGe系合金磁相变的唯象机理 | 第51-55页 |
| ·磁化曲线的数值计算 | 第55-62页 |
| ·本章结论 | 第62-63页 |
| 第四章 GdSiGe合金的纳米化计算及分析 | 第63-78页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·相互作用GdSiGe纳米微晶系统的磁熵变计算 | 第63-66页 |
| ·耦合相互作用对GdSiGe纳米微晶系统磁热性能的影响 | 第66-70页 |
| ·外场对GdSiGe纳米微晶系统磁热性能的影响 | 第70-73页 |
| ·纳米微晶磁矩对GdSiGe纳米微晶系统磁热性能的影响 | 第73-77页 |
| ·本章结论 | 第77-78页 |
| 第五章 总结与展望 | 第78-81页 |
| ·本文的主要贡献 | 第78-79页 |
| ·今后工作的设想 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-86页 |
| 附件 | 第86-89页 |
| 附件1 本研究承担的科研项目 | 第86-87页 |
| 附件2 本研究发表的学术论文 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89页 |
