约束刻蚀剂层技术用于砷化镓三维规整细微图形的复制加工
| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-33页 |
| §1．1 微系统简介 | 第12-14页 |
| §1．2 电化学在微系统中的应用 | 第14-24页 |
| §1．3 约束刻蚀剂层技术简介 | 第24-26页 |
| §1．4 本论文工作的目的和设想 | 第26-30页 |
| 参考文献 | 第30-33页 |
| 第二章 实验 | 第33-49页 |
| §2．1 试剂、溶液、半导体材料及靶材 | 第33-34页 |
| §2．2 电极的制备和处理 | 第34-35页 |
| §2．3 实验装置 | 第35页 |
| §2．4 超精密电化学微加工驱动系统 | 第35-37页 |
| §2．5 镀膜技术——射频溅射 | 第37-39页 |
| §2．6 原子力显微镜技术 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-49页 |
| 第三章 电化学模板电极的制备 | 第49-55页 |
| §3．1 电化学模板的特点 | 第49-50页 |
| §3．2 Si模板的导电镀层 | 第50页 |
| §3．3 Si模板引线的制作 | 第50页 |
| §3．4 电极的包封 | 第50页 |
| §3．5 电化学模板的性能测试 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 第四章 用规则模板对半导体GaAs的加工刻蚀 | 第55-71页 |
| §4．1 利用CELT刻蚀GaAs的化学体系 | 第55-58页 |
| §4．2 齿状模板对GaAs的加工刻蚀 | 第58-60页 |
| §4．3 金字塔状模板对GaAs的加工刻蚀 | 第60-61页 |
| §4．4 正六边形模板对GaAs的加工复制 | 第61页 |
| §4．5 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-71页 |
| 第五章 约束刻蚀剂层技术用作抛光平整的初步研究 | 第71-77页 |
| §5．1 现有的抛光技术 | 第71页 |
| §5．2 CELT技术用作抛光手段 | 第71-72页 |
| §5．3 对GaAs表面的抛光平整的初步结果 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 作者硕士期间发表和交流的论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
