| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 引言 | 第10-38页 |
| ·无机多孔材料 | 第10页 |
| ·有序介孔二氧化硅的发展简史 | 第10-19页 |
| ·有序介孔二氧化硅的合成方法 | 第11-14页 |
| ·有序介孔二氧化硅的合成机理 | 第14-16页 |
| ·有序介孔二氧化硅的形貌控制 | 第16-17页 |
| ·有序介孔二氧化硅的规模制备 | 第17-18页 |
| ·有序介孔二氧化硅的功能化 | 第18-19页 |
| ·周期性介孔有机氧化硅材料简介 | 第19-24页 |
| ·周期性介孔有机氧化硅材料的合成 | 第19-22页 |
| ·周期性介孔有机氧化硅材料的扩展与应用 | 第22-24页 |
| ·非硅基介孔材料的合成 | 第24-28页 |
| ·介孔碳材料 | 第25-26页 |
| ·介孔金属氧化物 | 第26-27页 |
| ·介孔硫族元素化合物和半导体 | 第27-28页 |
| ·有序介孔二氧化硅的应用研究 | 第28-35页 |
| ·催化剂及催化剂载体 | 第28-30页 |
| ·吸附材料 | 第30-34页 |
| ·药物控释 | 第34页 |
| ·传感器件 | 第34-35页 |
| ·硅基吸附剂对金属离子的吸附脱除与富集 | 第35-36页 |
| ·本课题研究思路与内容 | 第36-38页 |
| 2 实验部分 | 第38-41页 |
| ·实验试剂 | 第38-39页 |
| ·实验仪器 | 第39页 |
| ·样品的表征方法 | 第39-41页 |
| ·X射线粉末衍射测试 | 第39页 |
| ·比表面积和孔径分析 | 第39页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第39-40页 |
| ·透射电子显微镜 | 第40页 |
| ·核磁共振 | 第40页 |
| ·傅立叶红外光谱 | 第40页 |
| ·元素分析 | 第40页 |
| ·Zeta电位测定 | 第40页 |
| ·电感耦合等离子体发射光谱 | 第40-41页 |
| 3 酸性条件下Ureylene-PMOs的合成及Au(Ⅲ)吸附性能研究 | 第41-59页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·实验部分 | 第42-44页 |
| ·桥联硅烷的合成 | 第42页 |
| ·PMOs的合成 | 第42-43页 |
| ·Au(Ⅲ)吸附实验 | 第43-44页 |
| ·实验结果与讨论 | 第44-58页 |
| ·桥联硅烷的表征 | 第44-45页 |
| ·PMOs的结构表征和讨论 | 第45-52页 |
| ·PMO_(0.1)的吸附性能 | 第52-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 4 碱性条件下Ureylene-PMOs的合成及Au(Ⅲ)吸附性能研究 | 第59-73页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·实验部分 | 第59-60页 |
| ·PMOs的合成 | 第59-60页 |
| ·Au(Ⅲ)吸附实验 | 第60页 |
| ·实验结果与讨论 | 第60-71页 |
| ·PMOs的结构表征与讨论 | 第60-66页 |
| ·PMO_(0.1)的吸附性能 | 第66-71页 |
| ·PMOs制备过程的影响因素分析 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 5 球形介孔二氧化硅的改性及贵金属离子吸附性能研究 | 第73-90页 |
| ·引言 | 第73-74页 |
| ·实验部分 | 第74-76页 |
| ·吸附剂的合成 | 第74-75页 |
| ·贵金属离子吸附实验 | 第75-76页 |
| ·pyrazole-SMS结构表征与讨论 | 第76-80页 |
| ·pyrazole-SMS的吸附性能研究 | 第80-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 6 SBA-15表面改性及Cr(Ⅵ)吸附性能研究 | 第90-109页 |
| ·引言 | 第90-91页 |
| ·实验部分 | 第91-93页 |
| ·SBA-15的合成 | 第91页 |
| ·NH_2-SBA-15的合成 | 第91页 |
| ·Imidazole-SBA-15的合成 | 第91页 |
| ·Triazole-SBA-15的合成 | 第91-92页 |
| ·Cr(Ⅵ)的吸附实验 | 第92-93页 |
| ·结果与讨论 | 第93-108页 |
| ·样品的结构表征与讨论 | 第93-100页 |
| ·改性SBA-15的吸附性能 | 第100-108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 结论 | 第109-112页 |
| 创新点摘要 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-126页 |
| 攻读博士期间发表学术论文情况 | 第126-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
