| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·微波调谐器件对材料介电性能的要求 | 第11-13页 |
| ·钛酸锶钡薄膜的结构和主要性质 | 第13-14页 |
| ·钛酸锶钡研究的理论依据 | 第14-15页 |
| ·钛酸锶钡薄膜的研究进展 | 第15-22页 |
| 第二章 Sol-gel 法制备 BST 薄膜 | 第22-31页 |
| ·Sol-gel 技术概述 | 第22-23页 |
| ·Sol-gel 制备薄膜的发展历程概述 | 第22页 |
| ·Sol-gel 制备BST 薄膜的基本原理 | 第22-23页 |
| ·Sol-gel 工艺的特点 | 第23页 |
| ·Sol-gel 工艺制备 BST 薄膜 | 第23-29页 |
| ·Sol-gel 制备BST 薄膜的工艺流程 | 第23-24页 |
| ·Sol-gel 制备BST 薄膜的工艺过程 | 第24-29页 |
| ·试剂的选取表 | 第24-27页 |
| ·基片的清洗 | 第27-28页 |
| ·溶胶的制备 | 第28页 |
| ·匀胶工艺 | 第28-29页 |
| ·热处理制度 | 第29页 |
| ·Sol-gel 制备 BST 薄膜的机理探索 | 第29-31页 |
| 第三章 Sol-gel 法制备 BST 薄膜工艺条件及退火研究 | 第31-45页 |
| ·添加剂PVP 对薄膜结晶性能的影响 | 第31-34页 |
| ·膜厚对BST 薄膜结晶性能的影响 | 第34-36页 |
| ·退火温度对BST 薄膜的影响 | 第36-42页 |
| ·SEM 分析 | 第36-37页 |
| ·XRD 分析 | 第37-38页 |
| ·AFM 分析 | 第38-40页 |
| ·介电性能 | 第40-42页 |
| ·退火时间对BST 薄膜结晶性能的影响 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章A、B 位掺杂BST 系列薄膜的性能分析 | 第45-60页 |
| ·掺杂系列薄膜的XPS 分析 | 第45-54页 |
| ·XPS 全谱 | 第45-46页 |
| ·XPS 分谱分析 | 第46-54页 |
| ·BST 薄膜的Ba3d XPS 分析 | 第47-49页 |
| ·BST 薄膜的Sr3d XPS 分析 | 第49-50页 |
| ·BST 薄膜的Ti2p XPS 分析 | 第50-52页 |
| ·BST 薄膜的 O1s XPS 分析 | 第52-53页 |
| ·BST 薄膜的 C1s XPS 分析 | 第53-54页 |
| ·掺杂系列薄膜的AFM 分析 | 第54-56页 |
| ·掺杂系列薄膜的介电性能分析 | 第56-59页 |
| ·薄膜的C-V 特性 | 第56-57页 |
| ·薄膜的介电-频率特性 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 主要结论与创新点 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第67-68页 |