| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·纳米技术简介 | 第10-15页 |
| ·纳米技术的历史和发展 | 第10-11页 |
| ·纳米技术的特性和应用 | 第11-15页 |
| ·一维ZnO纳米材料 | 第15-22页 |
| ·ZnO的基本结构 | 第15-16页 |
| ·一维ZnO结构 | 第16-19页 |
| ·一维ZnO材料的潜在应用 | 第19-22页 |
| ·一维ZnO材料的制备方法 | 第22-24页 |
| ·模板限制辅助生长法 | 第22页 |
| ·金属有机气相外延 | 第22-23页 |
| ·热蒸发法 | 第23页 |
| ·气相沉积法 | 第23-24页 |
| ·一维ZnO材料的研究热点 | 第24-25页 |
| ·本论文研究的内容和意义 | 第25-26页 |
| 第二章 制备方法及表征原理 | 第26-37页 |
| ·化学气相沉积系统(CVD)简介 | 第26-27页 |
| ·化学气相沉积(CVD)的原理与技术 | 第27-30页 |
| ·气-液-固(V-L-S)生长机制及气-固(V-S)生长机制 | 第30-31页 |
| ·气-液-固(V-L-S)生长机制 | 第30页 |
| ·气-固(V-L)机制 | 第30-31页 |
| ·分析及表征 | 第31-37页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第31-32页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第32-34页 |
| ·能量色散谱仪(EDS) | 第34-35页 |
| ·荧光光致发光谱(PL) | 第35-37页 |
| 第三章 对一维ZnO材料成核的研究 | 第37-49页 |
| ·实验方法 | 第37-40页 |
| ·蒸发源的准备 | 第38页 |
| ·衬底清洗 | 第38页 |
| ·催化剂的制作 | 第38-39页 |
| ·化学气象沉积 | 第39-40页 |
| ·成核对生长的影响 | 第40-48页 |
| ·催化剂在成核过程中的作用 | 第40-42页 |
| ·成核温度对生长的影响 | 第42-45页 |
| ·成核时间对生长的影响 | 第45-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第四章 不同衬底上一维ZnO结构的生长 | 第49-60页 |
| ·蓝宝石衬底上一维ZnO结构的生长 | 第49-55页 |
| ·在蓝宝石(0001)面上的垂直生长机制 | 第49-52页 |
| ·在蓝宝石(11(?)0)面上的水平生长机制 | 第52-55页 |
| ·Si衬底上一维ZnO结构生长机制 | 第55-59页 |
| ·Si(100)衬底上一维ZnO结构生长机制 | 第55-58页 |
| ·侧面生长机制 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第五章 一维ZnO结构的光电性能研究 | 第60-65页 |
| ·水平生长一维ZnO结构紫外敏感特性的讨论 | 第60-62页 |
| ·掺Ga一维ZnO结构的研究 | 第62-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 在学期间的研究成果 | 第72页 |