| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·场致发射技术的历史及现状 | 第10-12页 |
| ·场致发射阴极阵列的发展 | 第12-13页 |
| ·场致发射阵列的应用 | 第13-16页 |
| ·场致发射用于显示器件的发展 | 第13-14页 |
| ·场发射阴极阵列在微波器件中的应用 | 第14-16页 |
| ·研究碳纳米管场致发射阵列的意义 | 第16-17页 |
| ·本课题研究的内容 | 第17-18页 |
| 第二章 碳纳米管结构、特性及应用 | 第18-24页 |
| ·碳纳米管简介 | 第18-19页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第19-20页 |
| ·碳纳米管的特性 | 第20-21页 |
| ·碳纳米管的力学特性 | 第20页 |
| ·碳纳米管的电学性质 | 第20-21页 |
| ·碳纳米管的磁学性质 | 第21页 |
| ·碳纳米管的光学性质 | 第21页 |
| ·碳纳米管场致发射阴极的应用 | 第21-24页 |
| 第三章 碳纳米管的制备方法和生长机理 | 第24-32页 |
| ·碳纳米管的制备方法 | 第24-26页 |
| ·电弧法 | 第24-25页 |
| ·激光蒸发法 | 第25页 |
| ·化学气相沉积法（CVD） | 第25-26页 |
| ·定向碳纳米管的制备方法 | 第26-28页 |
| ·间接方法制备定向碳纳米管 | 第26-27页 |
| ·直接方法制备定向碳纳米管 | 第27-28页 |
| ·电弧法获得定向碳纳米管束 | 第27页 |
| ·阳极氧化铝膜模板法 | 第27-28页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第28页 |
| ·激光刻蚀基底法 | 第28页 |
| ·等离子增强CVD 法 | 第28页 |
| ·碳纳米管的生长机理 | 第28-32页 |
| ·电弧法中碳纳米管的生长机理 | 第29-30页 |
| ·CVD 法制备碳纳米管的生长机理 | 第30-32页 |
| 第四章 微波等离子体化学气相沉积的碳纳米管生长工艺探索 | 第32-46页 |
| ·碳纳米管的制备工艺 | 第32-33页 |
| ·制备温度对 CNTs 生长的影响 | 第33-35页 |
| ·催化剂的影响 | 第35-40页 |
| ·不同种类催化剂对CNT 生长的影响 | 第35-37页 |
| ·催化剂层厚度对CNT 生长的影响 | 第37-40页 |
| ·通入碳源混合气体的比例对CNT 生长的影响 | 第40-42页 |
| ·基底对CNT 生长的影响 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 碳纳米管束阵列场致发射特性模拟与测试 | 第46-67页 |
| ·金属场致发射的机理 | 第46-48页 |
| ·碳纳米管场致发射性能 | 第48-51页 |
| ·发射机制 | 第49-50页 |
| ·开启电场和阈值电场 | 第50页 |
| ·发射电流密度 | 第50-51页 |
| ·场发射电流的稳定性 | 第51页 |
| ·场发射电子能量分布 | 第51页 |
| ·碳纳米管束场发射阵列的制备 | 第51-55页 |
| ·催化剂阵列的制备 | 第52-53页 |
| ·碳纳米管束的生长 | 第53-55页 |
| ·碳纳米管束阵列场发射性能测试 | 第55-57页 |
| ·模拟计算碳纳米管阵列密度对场致发射特性的影响 | 第57-62页 |
| ·模型建立和理论计算 | 第57-61页 |
| ·理论计算和软件模拟结果分析 | 第61-62页 |
| ·碳纳米管场致发射阵列中空间电荷效应研究 | 第62-67页 |
| ·建立考虑空间电荷效应时的碳纳米管场发射模型 | 第62-64页 |
| ·模型理论分析 | 第64-65页 |
| ·结果与讨论 | 第65-67页 |
| 第六章 结束语 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 攻读硕士研究期间取得的成果 | 第72-73页 |