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掺杂MgB2体系超导电性与平均价电子数的关系及MgB2薄膜金属—绝缘转变的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-7页
第一章 绪论第7-26页
   ·超导电性的发现第7页
   ·超导的基本概念第7-11页
   ·超导的发展概况第11-14页
   ·物质的导电性与物质的成键电子在品格原子中性质的密切关系第14页
   ·MgB_2的研究现状第14-23页
 本章参考文献第23-26页
第二章 掺杂二硼化镁体系超导电性与平均价电子数的关系第26-34页
   ·引言第26-28页
   ·MgB_2材料第28页
   ·分析方法第28-30页
   ·结果与讨论第30-31页
   ·结论第31-33页
 本章参考文献第33-34页
第三章 金属到绝缘转变的理论基础第34-49页
   ·金属、绝缘体第34页
     ·金属和绝缘体的微观理论解释第34页
     ·金属-绝缘体的转变机制第34-47页
 本章参考文献第47-49页
第四章 MgB_2薄膜金属-绝缘体转变的研究第49-57页
   ·引言第49页
   ·实验方法第49-50页
   ·实验结果及讨论第50-55页
   ·结论第55-56页
 本章参考文献第56-57页
第五章 总结与展望第57-58页
附录:攻读硕士期间发表和完成的研究毕业论文目录第58-59页
致谢第59页

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