玻璃基ZnO:Al薄膜的射频磁控溅射法制备及其结构和性能表征
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-21页 |
| ·绪论 | 第9-12页 |
| ·透明导电氧化物薄膜概述 | 第9-10页 |
| ·氧化铟薄膜(In_2O_3)概述 | 第10-11页 |
| ·氧化锡薄膜(SnO_2)概述 | 第11-12页 |
| ·AZO薄膜概述 | 第12-14页 |
| ·AZO薄膜的国内外研究现状 | 第13-14页 |
| ·AZO薄膜的制备方法 | 第14页 |
| ·氧化锌的特性 | 第14-17页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第15页 |
| ·ZnO薄膜的光学性质 | 第15-16页 |
| ·ZnO的电学特性 | 第16-17页 |
| ·未掺杂时ZnO的导电机制 | 第17页 |
| ·掺杂后ZnO的导电机制 | 第17-18页 |
| ·透明导电薄膜的研究方向 | 第18-20页 |
| ·本课题研究的意义和目的 | 第20-21页 |
| 第2章 透明导电薄膜的制备方法简介 | 第21-28页 |
| ·磁控溅射法 | 第21-22页 |
| ·脉冲激光法 | 第22-24页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第24-26页 |
| ·喷雾热解法 | 第26页 |
| ·化学气相沉积法 | 第26-28页 |
| 第3章 薄膜的相关理论 | 第28-33页 |
| ·伯斯坦-莫斯(Burstein-moss)理论 | 第28页 |
| ·德鲁德(Drude)理论 | 第28-29页 |
| ·薄膜生长理论 | 第29-31页 |
| ·薄膜生长的模式 | 第29-30页 |
| ·薄膜的生长过程 | 第30-31页 |
| ·薄膜中的缺陷 | 第31-33页 |
| 第4章 实验部分 | 第33-36页 |
| ·靶材制作 | 第33-34页 |
| ·玻璃基片的清洗 | 第34页 |
| ·溅射设备及主要工艺参数 | 第34页 |
| ·薄膜试样的结构和性能表征方法 | 第34-36页 |
| ·薄膜结构的测定 | 第34页 |
| ·电学性能测试 | 第34-35页 |
| ·光学性能测定 | 第35页 |
| ·中红外反射率测试 | 第35页 |
| ·薄膜成分的测定 | 第35-36页 |
| 第5章 工艺参数对薄膜的结构与光电性能的影响 | 第36-52页 |
| ·衬底温度对薄膜结构及光电性能的影响 | 第36-41页 |
| ·溅射气压对薄膜电学及光学性能的影响 | 第41-44页 |
| ·溅射功率对薄膜的光电性能影响 | 第44-46页 |
| ·退火时间对薄膜的结构和光电性能的影响 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第6章 缓冲层技术及其应用 | 第52-63页 |
| ·缓冲层厚度对薄膜的光电性能的影响 | 第53-58页 |
| ·X-ray衍射分析 | 第53-55页 |
| ·薄膜的光学和电学性能 | 第55-58页 |
| ·本节小结 | 第58页 |
| ·缓冲层制备温度对薄膜的结构与性能的影响 | 第58-63页 |
| ·实验过程 | 第58页 |
| ·X-ray衍射分析 | 第58-61页 |
| ·薄膜的红外反射率与透过率分析 | 第61-62页 |
| ·本节小结 | 第62-63页 |
| 第7章 结论 | 第63-65页 |
| 后记 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
