计算机模拟CN_X成膜结构与吸附沉积
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 1 文献综述 | 第7-19页 |
| ·材料设计 | 第7-9页 |
| ·分子动力学基本原理与原子间势函数 | 第9-13页 |
| ·第一性原理 | 第13-16页 |
| ·密度泛函理论 | 第13页 |
| ·准粒子方程，GW近似 | 第13页 |
| ·Car-Parrinello方法 | 第13-14页 |
| ·研究系综的定量与变量 | 第14-16页 |
| ·计算机模拟技术的国内外概况 | 第16-17页 |
| ·计算机模拟技术的几种研究方法 | 第17-18页 |
| ·Monte Carlo模拟方法 | 第17页 |
| ·Molecular Dynamics模拟方法 | 第17页 |
| ·能量最小化方法 | 第17-18页 |
| ·本文研究的目的、意义及主要内容 | 第18-19页 |
| ·本文研究的目的及意义 | 第18页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第18-19页 |
| 2 计算机模拟实验的内容及方法 | 第19-25页 |
| ·Materials Studio软件 | 第19-20页 |
| ·模拟试验的基本过程 | 第20-21页 |
| ·确定起始构型 | 第20页 |
| ·进入平衡相 | 第20页 |
| ·时间步长的选取 | 第20页 |
| ·作用势计算 | 第20-21页 |
| ·模拟结果的分析方法 | 第21页 |
| ·模拟薄膜材料的表面吸附与分析概述 | 第21-25页 |
| ·吸附模型的构建 | 第21-22页 |
| ·模拟方法和参数的设置 | 第22-23页 |
| ·吸附能分析 | 第23-24页 |
| ·态密度分析 | 第24-25页 |
| 3 晶体C3N4结构分析 | 第25-28页 |
| ·建立模拟模型 | 第25-26页 |
| ·参数设置 | 第26页 |
| ·模拟结果与分析 | 第26-27页 |
| ·模拟的可靠性分析 | 第27-28页 |
| 4 团簇在不同衬底表面的化学吸附 | 第28-41页 |
| ·团簇在硬质合金衬底表面的化学吸附 | 第28-32页 |
| ·化学吸附模型的建立 | 第28-29页 |
| ·计算方法及参数设置 | 第29页 |
| ·吸附能分析 | 第29页 |
| ·态密度分析 | 第29-32页 |
| ·不同团簇在硬质合金表面吸附结果的对比分析 | 第32页 |
| ·团簇在Si衬底表面的化学吸附 | 第32-38页 |
| ·化学吸附模型的建立 | 第32-33页 |
| ·计算方法及参数设置 | 第33页 |
| ·吸附能分析 | 第33-34页 |
| ·态密度分析 | 第34-37页 |
| ·团簇在Si(100)表面吸附结果的对比分析 | 第37-38页 |
| ·团簇在Cu衬底表面的化学吸附 | 第38-39页 |
| ·衬底对CN_x薄膜生长的影响 | 第39-41页 |
| 5 团簇在基底不同温度下的物理吸附 | 第41-45页 |
| ·物理吸附模型与模拟方法 | 第41-42页 |
| ·计算方法及参数设置 | 第42-43页 |
| ·计算结果与分析 | 第43-44页 |
| ·温度对薄膜生长的影响 | 第44-45页 |
| 6 结论 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 附录: 硕士研究生学习阶段发表论文 | 第51页 |
