| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-30页 |
| ·引言 | 第8-10页 |
| ·半导体材料概述 | 第8-9页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 | 第9-10页 |
| ·ZnSe材料的基本性质 | 第10-19页 |
| ·ZnSe的晶体结构 | 第13页 |
| ·ZnSe的能带结构 | 第13-14页 |
| ·ZnSe的相图和热力学性质 | 第14-16页 |
| ·ZnSe的电学性能 | 第16-17页 |
| ·ZnSe的光学特性 | 第17-18页 |
| ·ZnSe的光致发光性能 | 第18页 |
| ·ZnSe晶体生长其他相关的性质 | 第18-19页 |
| ·ZnSe薄膜制备技术及其研究现状 | 第19-25页 |
| ·ZnSe的主要应用 | 第25-28页 |
| ·ZnSe在制作蓝-绿光半导体激光器及光发射器件的应用 | 第25-26页 |
| ·ZnSe在作为光电器件或外延生长的衬底材料方面的应用 | 第26页 |
| ·ZnSe在非线性光学领域的应用 | 第26-27页 |
| ·ZnSe作为窗口材料的应用 | 第27页 |
| ·ZnSe在研制太阳能电池方面的应用 | 第27-28页 |
| ·ZnSe的其他应用 | 第28页 |
| ·研究目标 | 第28-29页 |
| ·研究内容 | 第29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第二章 ZnSe薄膜化学反应助热壁外延生长 | 第30-39页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·ZnSe化学反应助热壁外延法的生长原理 | 第30-32页 |
| ·化学反应助热壁外延法制备ZnSe薄膜实验 | 第32-34页 |
| ·实验装置 | 第32-33页 |
| ·衬底的选择和处理 | 第33页 |
| ·主要实验步骤 | 第33-34页 |
| ·ZnSe薄膜样品的性能表征 | 第34-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第三章 实验结果与分析 | 第39-51页 |
| ·ZnSe薄膜的形貌分析 | 第39-41页 |
| ·ZnSe薄膜生长与影响因素分析 | 第41-43页 |
| ·T_(Se)对ZnSe薄膜的影响 | 第42-43页 |
| ·T_(HW)对ZnSe薄膜的影响 | 第43页 |
| ·ZnSe薄膜的成份与结构分析 | 第43-44页 |
| ·ZnSe薄膜的PL谱分析 | 第44-46页 |
| ·飞秒激光对ZnSe薄膜的损伤 | 第46-48页 |
| ·气相反应促进剂的作用分析 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 第四章 Zn-Se-Zn(NH_4)_3Cl_5系统热力学计算 | 第51-62页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·气相平衡分压的热力学计算原理 | 第51-53页 |
| ·Zn-Se-Zn(NH_4)_3Cl_5系统的平衡分压计算 | 第53-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
