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GaN和ZnO半导体化合物的合成与表征

第一章 绪论第1-42页
   ·引言第12页
   ·纳米材料第12-15页
     ·纳米材料特性第13-14页
     ·纳米科技的基本内涵第14-15页
   ·半导体纳米材料的性质与应用第15-18页
     ·半导体材料的分类第15-16页
     ·半导体纳米材料第16-18页
   ·低维半导体材料的研究概况第18-20页
     ·低维半导体材料的基本概念第18-19页
     ·低维半导体材料的制备第19-20页
   ·氮化镓材料的应用及其发展第20-29页
     ·GaN基第三代半导体材料第20-21页
     ·Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料第21-23页
     ·GaN材料的研究历史第23-24页
     ·GaN基材料的基本特性第24-26页
     ·Ⅲ-Ⅴ族氮化物的外延生长第26-28页
     ·衬底的选择第28-29页
   ·氧化锌材料的应用及其发展第29-35页
     ·ZnO材料的基本特性及应用第29-31页
     ·ZnO材料的研究进展第31-32页
     ·低维 ZnO纳米材料的研究进展第32-35页
   ·半导体器件的研究进展第35-40页
     ·GaN基发光器件介绍第35-36页
     ·GaN基LEDs第36-37页
     ·GaN基LDs第37-38页
     ·GaN基电子器件第38页
     ·GaN基紫外光探测器第38-39页
     ·GaN基光电器件的应用前景及展望第39-40页
   ·本文选题意义第40-42页
第二章 氮化镓纳米材料的制备和表征第42-68页
   ·引言第42-43页
   ·高纯度氮化镓纳米线的制备及表征第43-52页
     ·实验设备及测试仪器第43-44页
     ·样品的制备第44-45页
     ·样品的表征第45页
     ·结果与讨论第45-52页
       ·物相、成分分析第45-46页
       ·场发射电镜(FESEM)分析第46-47页
       ·高分辨透射电镜(HRTEM)分析第47-48页
       ·PL谱分析第48-49页
       ·基本理论及机理探讨第49-52页
   ·催化剂法合成氮化镓纳米线第52-59页
     ·实验方法第52-53页
     ·X射线衍射分析第53页
     ·场发射扫描图像分析第53-54页
     ·高分辨图像观察第54-55页
     ·EDS谱图分析第55-56页
     ·生长机理分析第56-59页
   ·氮化镓纳米带的制备第59-62页
     ·实验方法第59页
     ·扫描电镜图像测试第59-60页
     ·高倍 FESEM图像第60-61页
     ·EDS分析第61页
     ·生长机理初步分析第61-62页
   ·氮化镓其它结构的合成第62-64页
     ·制备工艺过程及形貌测试第62-63页
     ·制备工艺过程及形貌测试第63-64页
   ·氮化镓薄膜的工艺探索第64-66页
   ·本章小结第66-68页
第三章 氧化锌纳米材料的制备和表征第68-86页
   ·引言第68-69页
   ·水热法制备氧化锌纳米棒第69-78页
     ·背景介绍第69页
     ·使用试剂及装置第69-70页
     ·样品的制备第70页
     ·样品的表征第70-71页
     ·结果与讨论第71-78页
       ·XRD图谱第71页
       ·微观结构与形貌观察第71-72页
       ·HRTEM图像观察第72页
       ·生长机理初步分析第72-76页
       ·PL谱分析第76-77页
       ·EDS分析第77-78页
       ·红外光谱分析第78页
   ·碳热还原法制备氧化锌材料第78-85页
     ·介绍第78-79页
     ·ZnO晶体的制备第79-80页
     ·产物的表征第80页
     ·XRD分析第80页
     ·微观形貌与结构分析第80-82页
     ·生长机理的初步探讨第82-84页
     ·光学性能分析第84-85页
     ·EDS图谱分析第85页
   ·本章小结第85-86页
第四章 总结与展望第86-89页
参考文献第89-99页
致谢第99-100页
攻读学位期间发表的学术论文、专利目录第100页

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