GaN和ZnO半导体化合物的合成与表征
第一章 绪论 | 第1-42页 |
·引言 | 第12页 |
·纳米材料 | 第12-15页 |
·纳米材料特性 | 第13-14页 |
·纳米科技的基本内涵 | 第14-15页 |
·半导体纳米材料的性质与应用 | 第15-18页 |
·半导体材料的分类 | 第15-16页 |
·半导体纳米材料 | 第16-18页 |
·低维半导体材料的研究概况 | 第18-20页 |
·低维半导体材料的基本概念 | 第18-19页 |
·低维半导体材料的制备 | 第19-20页 |
·氮化镓材料的应用及其发展 | 第20-29页 |
·GaN基第三代半导体材料 | 第20-21页 |
·Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料 | 第21-23页 |
·GaN材料的研究历史 | 第23-24页 |
·GaN基材料的基本特性 | 第24-26页 |
·Ⅲ-Ⅴ族氮化物的外延生长 | 第26-28页 |
·衬底的选择 | 第28-29页 |
·氧化锌材料的应用及其发展 | 第29-35页 |
·ZnO材料的基本特性及应用 | 第29-31页 |
·ZnO材料的研究进展 | 第31-32页 |
·低维 ZnO纳米材料的研究进展 | 第32-35页 |
·半导体器件的研究进展 | 第35-40页 |
·GaN基发光器件介绍 | 第35-36页 |
·GaN基LEDs | 第36-37页 |
·GaN基LDs | 第37-38页 |
·GaN基电子器件 | 第38页 |
·GaN基紫外光探测器 | 第38-39页 |
·GaN基光电器件的应用前景及展望 | 第39-40页 |
·本文选题意义 | 第40-42页 |
第二章 氮化镓纳米材料的制备和表征 | 第42-68页 |
·引言 | 第42-43页 |
·高纯度氮化镓纳米线的制备及表征 | 第43-52页 |
·实验设备及测试仪器 | 第43-44页 |
·样品的制备 | 第44-45页 |
·样品的表征 | 第45页 |
·结果与讨论 | 第45-52页 |
·物相、成分分析 | 第45-46页 |
·场发射电镜(FESEM)分析 | 第46-47页 |
·高分辨透射电镜(HRTEM)分析 | 第47-48页 |
·PL谱分析 | 第48-49页 |
·基本理论及机理探讨 | 第49-52页 |
·催化剂法合成氮化镓纳米线 | 第52-59页 |
·实验方法 | 第52-53页 |
·X射线衍射分析 | 第53页 |
·场发射扫描图像分析 | 第53-54页 |
·高分辨图像观察 | 第54-55页 |
·EDS谱图分析 | 第55-56页 |
·生长机理分析 | 第56-59页 |
·氮化镓纳米带的制备 | 第59-62页 |
·实验方法 | 第59页 |
·扫描电镜图像测试 | 第59-60页 |
·高倍 FESEM图像 | 第60-61页 |
·EDS分析 | 第61页 |
·生长机理初步分析 | 第61-62页 |
·氮化镓其它结构的合成 | 第62-64页 |
·制备工艺过程及形貌测试 | 第62-63页 |
·制备工艺过程及形貌测试 | 第63-64页 |
·氮化镓薄膜的工艺探索 | 第64-66页 |
·本章小结 | 第66-68页 |
第三章 氧化锌纳米材料的制备和表征 | 第68-86页 |
·引言 | 第68-69页 |
·水热法制备氧化锌纳米棒 | 第69-78页 |
·背景介绍 | 第69页 |
·使用试剂及装置 | 第69-70页 |
·样品的制备 | 第70页 |
·样品的表征 | 第70-71页 |
·结果与讨论 | 第71-78页 |
·XRD图谱 | 第71页 |
·微观结构与形貌观察 | 第71-72页 |
·HRTEM图像观察 | 第72页 |
·生长机理初步分析 | 第72-76页 |
·PL谱分析 | 第76-77页 |
·EDS分析 | 第77-78页 |
·红外光谱分析 | 第78页 |
·碳热还原法制备氧化锌材料 | 第78-85页 |
·介绍 | 第78-79页 |
·ZnO晶体的制备 | 第79-80页 |
·产物的表征 | 第80页 |
·XRD分析 | 第80页 |
·微观形貌与结构分析 | 第80-82页 |
·生长机理的初步探讨 | 第82-84页 |
·光学性能分析 | 第84-85页 |
·EDS图谱分析 | 第85页 |
·本章小结 | 第85-86页 |
第四章 总结与展望 | 第86-89页 |
参考文献 | 第89-99页 |
致谢 | 第99-100页 |
攻读学位期间发表的学术论文、专利目录 | 第100页 |