基于浮栅MOS器件的数字电路设计研究
摘要 | 第1-3页 |
Abstract | 第3-4页 |
目录 | 第4-6页 |
第一章 绪论 | 第6-10页 |
·研究背景 | 第6-8页 |
·浮栅MOS的提出背景 | 第6-7页 |
·研究现状 | 第7-8页 |
·研究趋势 | 第8页 |
·本文的主要研究内容 | 第8页 |
·本文结构 | 第8-10页 |
第二章 浮栅MOS器件的分析 | 第10-24页 |
·浮栅MOS器件的基本结构及性能 | 第10-15页 |
·浮栅MOS晶体管的简介 | 第10页 |
·浮栅MOS晶体管的基本结构 | 第10-12页 |
·浮栅MOS互补管的基本结构 | 第12-14页 |
·浮栅MOS器件的性能分析 | 第14-15页 |
·浮栅MOS器件的等效电路模型 | 第15-18页 |
·浮栅MOS器件的主要特点与验证 | 第18-23页 |
·浮栅MOS器件的主要特点 | 第18-19页 |
·有关浮栅MOS器件阈值可控的验证 | 第19-23页 |
·小结 | 第23-24页 |
第三章 开关级设计理论 | 第24-28页 |
·开关一信号理论 | 第24-27页 |
·小结 | 第27-28页 |
第四章 基于浮栅MOS器件的组合电路的设计 | 第28-52页 |
·基于浮栅MOS器件的软硬件逻辑电路 | 第28-29页 |
·基于浮栅MOS器件的基本门电路设计 | 第29-42页 |
·与门 | 第29-33页 |
·或门 | 第33-37页 |
·异或门 | 第37-42页 |
·基本门电路小结 | 第42页 |
·基于浮栅MOS器件的四值编一译码电路设计 | 第42-51页 |
·4-2译码器 | 第44-47页 |
·2-4编码器 | 第47-49页 |
·与以往设计的比较 | 第49-50页 |
·四值编-译码电路小结 | 第50-51页 |
·小结 | 第51-52页 |
第五章 基于浮栅MOS器件的施密特触发器的设计 | 第52-59页 |
·基于浮栅MOS器件的施密特触发器的设计 | 第52-54页 |
·外部可控回差的施密特触发器的设计 | 第54-57页 |
·施密特触发器的应用 | 第57-58页 |
·与以往设计的比较 | 第58页 |
·小结 | 第58-59页 |
第六章 基于浮栅MOS器件的时序电路的设计 | 第59-81页 |
·基于浮栅MOS的D触发器的设计 | 第59-73页 |
·D锁存器 | 第59-68页 |
·静态D锁存器的设计 | 第60-64页 |
·差动结构D锁存器的设计 | 第64-68页 |
·与以往设计的比较 | 第68页 |
·D触发器 | 第68-73页 |
·静态D触发器的设计 | 第69-71页 |
·差动结构D触发器的设计 | 第71-73页 |
·与以往设计的比较 | 第73页 |
·D触发器的应用 | 第73-80页 |
·寄存器 | 第73-77页 |
·数码寄存器 | 第74页 |
·移位寄存器 | 第74-77页 |
·计数器 | 第77-80页 |
·小结 | 第80-81页 |
第七章 总结与展望 | 第81-83页 |
·总结 | 第81-82页 |
·展望 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-86页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第86-87页 |
致谢 | 第87页 |