PECVD沉积的氮化硅薄膜热处理性质研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-9页 |
| 第二章 文献综述 | 第9-24页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·氮化硅薄膜性质及应用 | 第9-17页 |
| ·光学性质及应用 | 第9-12页 |
| ·钝化性能及应用 | 第12-16页 |
| ·太阳电池中氮化硅薄膜的钝化作用 | 第12-15页 |
| ·芯片中氮化硅薄膜的钝化作用 | 第15-16页 |
| ·其它性能及应用 | 第16-17页 |
| ·氮化硅薄膜的制备方法 | 第17-22页 |
| ·溅射法制备氮化硅薄膜 | 第17-18页 |
| ·直接氮化法制备氮化硅薄膜 | 第18-19页 |
| ·化学气相沉积法制备氮化硅薄膜 | 第19-22页 |
| ·常压化学气相沉积(APCVD) | 第19页 |
| ·低压化学气相沉积(LPCVD) | 第19-20页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第20-22页 |
| ·光化学气相沉积(Photo-CVD) | 第22页 |
| ·氮化硅薄膜热处理研究现状 | 第22-23页 |
| ·本论文研究的目的和意义 | 第23-24页 |
| 第三章 实验设计、设备与过程 | 第24-31页 |
| ·实验设计 | 第24页 |
| ·PECVD沉积氮化硅薄膜及其结构性质 | 第24页 |
| ·氮化硅薄膜常规热处理性质研究 | 第24页 |
| ·氮含量对氮化硅薄膜热处理性质的影响 | 第24页 |
| ·实验设备 | 第24-26页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备 | 第24-26页 |
| ·常规热处理炉 | 第26页 |
| ·测试设备 | 第26-30页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第26页 |
| ·激光喇曼光谱(Raman) | 第26-28页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第28-29页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第29-30页 |
| ·实验材料 | 第30-31页 |
| 第四章 PECVD沉积氮化硅薄膜及其结构性质 | 第31-37页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验 | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-36页 |
| ·氮化硅薄膜的化学成分和结构 | 第32-35页 |
| ·氮化硅薄膜中氢含量的变化 | 第35-36页 |
| ·结论 | 第36-37页 |
| 第五章 氮化硅薄膜常规热处理性质研究 | 第37-46页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·实验 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-45页 |
| ·沉积温度对薄膜热处理性质的影响 | 第38-40页 |
| ·热处理时间对薄膜结构的影响 | 第40-43页 |
| ·热处理温度对薄膜结构的影响 | 第43-45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 第六章 氮含量对氮化硅薄膜热处理性质的影响 | 第46-51页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·实验 | 第46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| 第七章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 作者简介 | 第58页 |
| 攻读硕士期间已发表论文： | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
