| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 目录 | 第12-16页 |
| 第一章 前言 | 第16-63页 |
| ·一维纳米材料 | 第16-46页 |
| ·一维纳米材料的制备方法 | 第16-37页 |
| ·气相法 | 第17-20页 |
| ·气相—液相—固相(Vapor-Liquid-Solid,VLS)生长法 | 第17-19页 |
| ·气相—固相(Vapor-Solid,VS)生长法 | 第19-20页 |
| ·液相法 | 第20-21页 |
| ·溶液—液相—固相法(Solution-Liquid-Solid,SLS) | 第20页 |
| ·基于辅助剂的液相法 | 第20-21页 |
| ·溶剂热合成法 | 第21页 |
| ·模板法 | 第21-33页 |
| ·硬模板法 | 第22-29页 |
| ·多孔阳极氧化铝模板法(AAO)和多孔聚碳酸酯模板法 | 第22-26页 |
| ·聚丙烯酸乙酯模板法 | 第26-27页 |
| ·碳纳米管法 | 第27-28页 |
| ·其他硬模板法 | 第28-29页 |
| ·软模板法 | 第29-33页 |
| ·其他方法 | 第33-34页 |
| ·一维纳米复合材料 | 第34-37页 |
| ·一维纳米材料的性质 | 第37-42页 |
| ·光学性质 | 第37-39页 |
| ·紫外—可见吸收特性 | 第37-38页 |
| ·光致发光行为 | 第38页 |
| ·荧光偏振行为 | 第38-39页 |
| ·磁性能 | 第39页 |
| ·场发射效应 | 第39-41页 |
| ·电性能 | 第41-42页 |
| ·力学性能 | 第42页 |
| ·热学性能 | 第42页 |
| ·一维纳米材料的人工组装 | 第42-44页 |
| ·电场驱动组装 | 第43页 |
| ·磁场驱动组装 | 第43页 |
| ·微流辅助模板法组装 | 第43-44页 |
| ·基于一维纳米材料的器件 | 第44-46页 |
| ·纳米线传感器 | 第44-45页 |
| ·纳米线激光器 | 第45页 |
| ·逻辑门计算电路 | 第45-46页 |
| ·二维纳米片晶(纳米棱镜) | 第46-47页 |
| ·三维纳米复合微球 | 第47-48页 |
| ·导电高分子—高分子纳米复合微球 | 第47页 |
| ·导电高分子—无机粒子纳米复合微球 | 第47-48页 |
| ·论文选题的目的和意义 | 第48-49页 |
| ·课题研究方案 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-63页 |
| 第二章 同离子吸附法制备银—聚吡咯同轴纳米电缆 | 第63-77页 |
| ·前言 | 第63-64页 |
| ·实验部分 | 第64-66页 |
| ·实验试剂 | 第64页 |
| ·银纳米线的制备 | 第64-65页 |
| ·银—聚吡咯同轴纳米电缆的制备 | 第65页 |
| ·结构与形貌表征 | 第65-66页 |
| ·X-射线衍射XRD表征 | 第65页 |
| ·FT-IR表征 | 第65-66页 |
| ·紫外-可见表征 | 第66页 |
| ·透射电镜(TEM)表征 | 第66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-71页 |
| ·银纳米线的TEM表征 | 第66-67页 |
| ·银—聚吡咯同轴纳米电缆的TEM照片 | 第67-68页 |
| ·银—聚吡咯同轴纳米电缆的XRD谱图 | 第68-69页 |
| ·银—聚吡咯同轴纳米电缆的FT-IR谱图 | 第69页 |
| ·银—聚吡咯同轴纳米电缆在紫外-可见光区的吸收 | 第69-70页 |
| ·AgNO_3处理剂对银—聚吡咯同轴纳米电缆形貌的影响 | 第70-71页 |
| ·银—聚吡咯同轴纳米电缆的形成机制 | 第71-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 第三章 一步法制备银—聚吡咯同轴纳米电缆 | 第77-109页 |
| ·前言 | 第77页 |
| ·实验部分 | 第77-78页 |
| ·实验试剂 | 第77-78页 |
| ·合成 | 第78页 |
| ·仪器及表征 | 第78页 |
| ·结果与讨论 | 第78-104页 |
| ·银—聚吡咯同轴纳米电缆的形貌表征 | 第78-82页 |
| ·银—聚吡咯同轴纳米电缆的XRD表征 | 第82-83页 |
| ·银—聚吡咯同轴纳米电缆的FT-IR表征 | 第83-84页 |
| ·AgNO_3与吡咯单体的配比对产物形貌的影响 | 第84-89页 |
| ·根据形貌理论计算生成银—聚吡咯同轴纳米电缆时吡咯单体与AgNO_3浓度的合适比值 | 第89-91页 |
| ·AgNO_3与吡咯单体的配比对产物光性能的影响 | 第91-92页 |
| ·不同加料方式对产物形貌的影响 | 第92-93页 |
| ·成线辅助剂种类对产物形貌的影响 | 第93-94页 |
| ·PVP浓度对产物形貌的影响 | 第94-95页 |
| ·银—聚吡咯同轴纳米电缆的生长过程研究 | 第95-100页 |
| ·反应不同时间段的SEM与TEM表征 | 第95-97页 |
| ·反应不同时间段的AFM表征 | 第97-99页 |
| ·不同反应时间段产物的紫外-可见-近红外吸收 | 第99-100页 |
| ·银—聚吡咯同轴纳米电缆形成机理的探讨 | 第100-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-109页 |
| 第四章 银—聚吡咯纳米片晶的制备及性能研究 | 第109-119页 |
| ·前言 | 第109页 |
| ·实验部分 | 第109-110页 |
| ·实验试剂 | 第109页 |
| ·合成 | 第109-110页 |
| ·仪器及表征 | 第110页 |
| ·结果与讨论 | 第110-116页 |
| ·银—聚吡咯纳米片晶的形貌表征 | 第110-111页 |
| ·银—聚吡咯纳米片晶的XRD表征 | 第111页 |
| ·银—聚吡咯纳米片晶的FT-IR表征 | 第111-112页 |
| ·PVP浓度对银—聚吡咯纳米片晶形貌的影响 | 第112-115页 |
| ·光学性能 | 第115-116页 |
| ·电学性能 | 第116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-119页 |
| 第五章 核壳结构银—聚吡咯纳米复合微球和聚吡咯中空微胶囊的制备及表征 | 第119-133页 |
| ·前言 | 第119-120页 |
| ·实验部分 | 第120-121页 |
| ·实验试剂 | 第120页 |
| ·合成 | 第120-121页 |
| ·银—聚吡咯纳米复合微球 | 第120页 |
| ·聚吡咯纳米中空胶囊 | 第120-121页 |
| ·仪器及表征 | 第121页 |
| ·结果与讨论 | 第121-129页 |
| ·银—聚吡咯纳米复合微球的形貌表征 | 第121-122页 |
| ·吡咯单体浓度对银—聚吡咯复合微球形貌的影响 | 第122-125页 |
| ·根据形貌理论计算形成核壳结构银—聚吡咯纳米复合微球时体系中吡咯单体与AgNO_3间所需的比值 | 第125-127页 |
| ·聚吡咯中空纳米胶囊的形貌表征 | 第127-128页 |
| ·银—聚吡咯纳米复合微球和聚吡咯中空胶囊的FT-IR表征 | 第128-129页 |
| ·银—聚吡咯纳米复合微球和聚吡咯中空胶囊的XRD表征 | 第129页 |
| ·本章小结 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-133页 |
| 第六章 结论 | 第133-135页 |
| 攻读博士学位期间发表论文情况 | 第135-136页 |
| 致谢 | 第136页 |
