| 符号与缩略词说明 | 第1-12页 |
| 摘要 | 第12-13页 |
| ABSTRACT | 第13-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| ·光子晶体简介 | 第15-17页 |
| ·光子晶体的研究背景与应用 | 第15-16页 |
| ·光子晶体的基本原理 | 第16-17页 |
| ·光子晶体在红外光电子学领域的应用前景 | 第17-20页 |
| ·三维锗光子晶体薄膜的应用前景 | 第18-19页 |
| ·电致可调三维PLZT光子晶体的应用前景 | 第19-20页 |
| ·基于胶体模板法的三维光子晶体的制备方法 | 第20-24页 |
| ·基于胶体模板法的三维锗光子晶体的制备方法 | 第20-22页 |
| ·基于胶体模板法的三维PLZT光子晶体的制备方法 | 第22-23页 |
| ·纳米共组装技术 | 第23-24页 |
| ·本论文的研究背景和主要研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 三维光子晶体光子带隙分析 | 第25-51页 |
| ·光子带隙计算原理 | 第25-29页 |
| ·固体物理概念 | 第25-27页 |
| ·光学原理 | 第27-28页 |
| ·计算软件 | 第28-29页 |
| ·三维光子晶体带隙分析与数值求解 | 第29-42页 |
| ·带隙分析 | 第29-41页 |
| ·临界介电常数值的计算 | 第41-42页 |
| ·不同结构三维光子晶体带隙特性的比较 | 第42页 |
| ·基于带隙偏差的三维反蛋白石光子晶体非理想态结构参数的求解 | 第42-46页 |
| ·基本概念 | 第42-43页 |
| ·趋势分析 | 第43-44页 |
| ·计算框图与实例分析 | 第44-46页 |
| ·三维电致可调光子晶体带隙变化分析 | 第46-51页 |
| ·理论依据 | 第46-48页 |
| ·三维反Opal钛酸钡电致光子能带变化效应 | 第48-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| 第三章 锗反Opal与三维PLZT-SiO_2有序阵列的制备 | 第51-81页 |
| ·实验药品与仪器 | 第52-53页 |
| ·性能表征方法 | 第53-54页 |
| ·CBD法制备三维锗反蛋白石光子晶体工艺研究 | 第54-71页 |
| ·实验过程 | 第54-55页 |
| ·液相填充工艺的确定 | 第55-64页 |
| ·锗反Opal煅烧工艺的确定 | 第64-66页 |
| ·填充工艺存在的问题与改善方案 | 第66-68页 |
| ·光学带隙测试与分析 | 第68-71页 |
| ·纳米共组装工艺制备三维PLZT-Si02有序阵列 | 第71-81页 |
| ·PLZT纳米颗粒的制备与分散原理分析 | 第71-72页 |
| ·实验过程 | 第72-74页 |
| ·粉体性质的测试 | 第74-75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-81页 |
| 第四章 结论 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第88页 |
