| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 目录 | 第13-15页 |
| 引言 | 第15-17页 |
| 第一章 磁控溅射制备AIN及其结构和特性研究 | 第17-49页 |
| 第一节 AIN薄膜概述 | 第17-25页 |
| 1 AIN的结构与能带 | 第17-19页 |
| 2 AIN的物理性质 | 第19-22页 |
| 3 AIN的制备方法 | 第22-25页 |
| 第二节 中频磁控溅射制备AIN薄膜 | 第25-31页 |
| 1 磁控溅射 | 第25-27页 |
| 2 中频磁控溅射的特点 | 第27-28页 |
| 3 制备AIN薄膜 | 第28-31页 |
| 第三节 AIN的成分与结构 | 第31-41页 |
| 1 X射线衍射(XRD) | 第31-33页 |
| 2 扫描电子显微镜(SEM)和能量散射X射线分析(EDX) | 第33-34页 |
| 3 原子力显微镜(AFM) | 第34-35页 |
| 4 透射电子显微镜(TEM) | 第35-37页 |
| 5 X射线光电子谱(XPS) | 第37-39页 |
| 6 卢瑟福背散射谱(RBS) | 第39-40页 |
| 7 傅立叶红外光谱(FTIR) | 第40页 |
| 8 激光拉曼谱(Raman) | 第40-41页 |
| 第四节 AIN的物理特性 | 第41-46页 |
| 1 硬度 | 第41-42页 |
| 2 电学性质 | 第42页 |
| 3 光学性质 | 第42-46页 |
| 第五节 结果讨论 | 第46-48页 |
| 第六节 小结 | 第48-49页 |
| 第二章 Mn~+注入AIN薄膜研究 | 第49-67页 |
| 第一节 半导体自旋电子学 | 第49-57页 |
| 1 什么是自旋电子学? | 第49页 |
| 2 半导体自旋电子学中的新现象及应用 | 第49-51页 |
| 3 半导体中铁磁性的机制 | 第51-52页 |
| 4 磁性半导体 | 第52-53页 |
| 5 氮化物稀磁半导体材料 | 第53-54页 |
| 6 半导体中的杂质和缺陷 | 第54-56页 |
| 7 过渡金属杂质态 | 第56-57页 |
| 第二节 Mn~+注入AIN薄膜的成份与结构 | 第57-62页 |
| 1 扫描电子显微镜(SEM)与能量散射X射线分析(EDX) | 第57-58页 |
| 2 卢瑟福背散射(RBS) | 第58-60页 |
| 3 X射线光电子能谱(XPS) | 第60-62页 |
| 第三节 Mn~+注入AIN薄膜的物理特性 | 第62-65页 |
| 1 阴极发光谱(CL) | 第62-64页 |
| 2 样品的磁性测量 | 第64-65页 |
| 第四节 结果分析 | 第65-66页 |
| 第五节 小结 | 第66-67页 |
| 第三章 AIN／a-Si_3N_4硬质薄膜的制备和研究 | 第67-81页 |
| 第一节 硬质薄膜 | 第67-71页 |
| 1 硬质材料 | 第67-69页 |
| 2 纳米晶复合硬质薄膜的制备方法 | 第69-70页 |
| 3 硬质薄膜的硬度测量 | 第70-71页 |
| 第二节 nc-AIN／a-Si_3N_4膜的制备方法 | 第71-73页 |
| 第三节 nc-AIN／a-Si_3N_4膜成份与结构 | 第73-77页 |
| 1 扫描电子显微镜(SEM)和能量散射X射线分析(EDX) | 第73-74页 |
| 2 透射电子显微镜(TEM) | 第74-77页 |
| 3 激光拉曼光谱(Raman) | 第77页 |
| 第四节 no-AIN／a-Si_3N_4膜的性能 | 第77-80页 |
| 1 硬度 | 第77-79页 |
| 2 光学性质 | 第79-80页 |
| 第五节 小结 | 第80-81页 |
| 第四章 总结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90页 |
