第一章 绪 论 | 第1-14页 |
·引 言 | 第9页 |
·氧化物超晶格薄膜的发展概况 | 第9-10页 |
·薄膜的生长模拟现状 | 第10-12页 |
·国内外BTO/STO超晶格研究动态及意义 | 第12-13页 |
·本课题研究的关键 | 第13-14页 |
第二章 BaTiO3/SrTiO3超晶格的理论依据 | 第14-21页 |
·BaTiO3 的晶体结构 | 第14-15页 |
·BaTiO3的电学性能 | 第15-16页 |
·BaTiO3的铁电性能 | 第15-16页 |
·BaTiO3的介电性能 | 第16页 |
·介电超晶格材料 | 第16-18页 |
·铁电超晶格的唯象模型 | 第18-21页 |
第三章 Monte Carlo模型 | 第21-31页 |
·薄膜生长的理论模型 | 第21-26页 |
·单质薄膜模拟生长的Monte Carlo模型 | 第26-28页 |
·氧化物(BaTiO3/SrTi03)薄膜生长的MonteCarlo模型 | 第28-31页 |
第四章 实验原理及方案 | 第31-35页 |
·BaTiO3/SrTi03超晶格薄膜的制备 | 第31-33页 |
·试验仪器 | 第31-32页 |
·制备方法 | 第32-33页 |
·BaTiO3/SrTi03超晶格薄膜的结构分析 | 第33页 |
·BaTiO3/SrTi03超晶格薄膜的电学性能分析 | 第33-34页 |
·BaTiO3/SrTi03超晶格薄膜电极的制备 | 第33页 |
·BaTiO3/SrTi03超晶格薄膜电学性能的测量 | 第33-34页 |
·整个实验流程 | 第34-35页 |
第五章 氧化物薄膜生长模拟与结果讨论 | 第35-43页 |
·氧化物薄膜生长模拟界面介绍 | 第35-36页 |
·沉积速率对薄膜生长的影响 | 第36-38页 |
·高沉积速率时薄膜的生长情况 | 第36-37页 |
·低沉积速率时薄膜的生长情况 | 第37-38页 |
·粒子总数对薄膜的影响 | 第38-39页 |
·基片温度对薄膜生长的影响 | 第39-41页 |
·基底形貌对薄膜生长的影响 | 第41-43页 |
第六章 实验结果与讨论 | 第43-58页 |
·BaTiO3/SrTi03超晶格薄膜的结构分析 | 第43-52页 |
·RHEED结构分析 | 第43-44页 |
·基片温度对薄膜表面形貌的影响 | 第44-46页 |
·SrTiO3/BaTiO3超晶格薄膜的XRD分析 | 第46-49页 |
·SrTiO3/BaTiO3超晶格薄膜的HRTEM分析 | 第49页 |
·SrTiO3/BaTiO3超晶格薄膜的XPS成分分析 | 第49-51页 |
·小结 | 第51-52页 |
·SrTiO3/BaTiO3超晶格薄膜的电学性能的研究 | 第52-58页 |
·BaTiO3/SrTiO3超晶格薄膜的电阻性能的研究 | 第52-53页 |
·不同调制周期BTO/STO超晶格薄膜的介电性能的研究 | 第53-54页 |
·BTO/STO超晶格薄膜的介电性能与频率关系的研究 | 第54-56页 |
·不同调制周期BTO/STO超晶格薄膜的介电性能与温度关系的研究 | 第56页 |
·小结 | 第56-58页 |
第七章 总结 | 第58-60页 |
致 谢 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-64页 |