| 中文摘要 | 第1-11页 |
| 1． 绪论 | 第11-20页 |
| 1．1 碲镉汞环孔P-N结概述 | 第11-16页 |
| 1．2 环孔P-N结的发展与现状 | 第16-18页 |
| 1．3 本文的工作 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-20页 |
| 2． 碲镉汞环孔p-n结的理论分析 | 第20-47页 |
| 2．1 引言 | 第20页 |
| 2．2 HgCdTe环孔P-N结 | 第20-26页 |
| 2．2．1 HgCdTe能带和本征载流子与组份和浓度的关系 | 第21-23页 |
| 2．2．2 P-N结空间电荷区的电场、电位分布 | 第23-24页 |
| 2．2．3 接触电势差 | 第24-26页 |
| 2．3 P-N结伏安特性与R_0A文献综述 | 第26-34页 |
| 2．3．1 扩散电流及R_0A | 第27-28页 |
| 2．3．2 产生—复合电流与R_0A | 第28-30页 |
| 2．3．3 带间隧道电流及R_0A | 第30-32页 |
| 2．3．4 表面电流及R_0A | 第32-34页 |
| 2．3．5 光电流 | 第34页 |
| 2．4 HgCdTe环孔P-N结I-V特性和R_0A理论分析 | 第34-42页 |
| 2．4．1 HgCdTe环孔P-N结扩散电流机制及R_0A | 第34-37页 |
| 2．4．2 R_0A数值计算和分析 | 第37页 |
| 2．4．3 环孔P-N结R_0A讨论 | 第37-40页 |
| 2．4．4 环孔P-N结R_0A与平面结R_0A比较 | 第40-41页 |
| 2．4．5 扩散电流与产生—复合电流对温度的依赖关系讨论 | 第41-42页 |
| 2．5 结论 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 3． 环孔P-N结I-V特性测试与分析 | 第47-71页 |
| 3．1 引言 | 第47页 |
| 3．2 环孔P-N结反向漏电流的测试与分析 | 第47-51页 |
| 3．2．1 实验样品制备 | 第47-49页 |
| 3．2．2 I-V测试结果及讨论 | 第49-51页 |
| 3．3 I-V测试中的反常特性分析 | 第51-58页 |
| 3．3．1 公共电极的制备 | 第51-52页 |
| 3．3．2 I-V测试中的反常现象 | 第52-55页 |
| 3．3．3 理论分析 | 第55-56页 |
| 3．3．4 反常特性的实验验证 | 第56-58页 |
| 3．4 不同公共电极对探测元的影响分析 | 第58-61页 |
| 3．4．1 版图设计 | 第58页 |
| 3．4．2 测试结果与讨论 | 第58-61页 |
| 3．5 环孔P-N结变温I-V测试 | 第61-67页 |
| 3．5．1 实验 | 第61-62页 |
| 3．5．2 变温I-V测试结果 | 第62-64页 |
| 3．5．3 实验结果讨论 | 第64-67页 |
| 3．6 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 4． 环孔P-N结体电阻与截止波长关系分析 | 第71-85页 |
| 4．1 引言 | 第71页 |
| 4．2 环孔P-N结体电阻与HgCdTe组份的关系 | 第71-74页 |
| 4．3 环孔P-N结的体电阻的测试与分析 | 第74-79页 |
| 4．3．1 体电阻的测试与算法 | 第75-76页 |
| 4．3．2 测试结果与讨论 | 第76-79页 |
| 4．4 光谱响应测试 | 第79-82页 |
| 4．4．1 光谱响应测试原理 | 第79页 |
| 4．4．2 HgCdTe环孔P-N结光谱测试结果与讨论 | 第79-82页 |
| 4．5 结论 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-85页 |
| 5． 结束语 | 第85-91页 |
| 5．1 本文的主要工作 | 第85-86页 |
| 5．2 本工作的创新性 | 第86页 |
| 5．3 结论 | 第86-90页 |
| 5．4 本文的意义 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91页 |
