| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| ·研究背景和意义 | 第13页 |
| ·国内外研究现状 | 第13-22页 |
| ·多晶硅薄膜模型的研究现状 | 第13-16页 |
| ·Poly-Si TFTs 的研究现状 | 第16-21页 |
| ·DG Poly-Si TFTs 的研究现状 | 第21-22页 |
| ·主要研究内容及论文结构 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第二章 多晶硅薄膜电导模型 | 第25-40页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·多晶硅薄膜电导特性 | 第25-34页 |
| ·空间电荷势垒 | 第26-29页 |
| ·电流密度 | 第29-32页 |
| ·平均载流子浓度 | 第32-34页 |
| ·模型仿真与结果分析 | 第34-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 基于晶界离散分布的poly-Si TFTs有效迁移率模型 | 第40-60页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·有效迁移率特性和模型建模 | 第41-50页 |
| ·载流子浓度和空间电荷势垒 | 第41-44页 |
| ·低漏压下沟道迁移率 | 第44-46页 |
| ·高漏压下沟道迁移率 | 第46-49页 |
| ·电流方程 | 第49-50页 |
| ·模型仿真和结果分析 | 第50-59页 |
| ·晶界空间电荷势垒 | 第50-51页 |
| ·转移特性 | 第51-57页 |
| ·输出特性 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 基于表面势和离散晶界分布的poly-Si TFTs漏电流模型 | 第60-79页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·Poly-Si TFTs 漏电流模型建模 | 第61-72页 |
| ·小TFT 表面势及自由电荷 | 第61-66页 |
| ·晶界势垒高度与小TFT 的迁移率 | 第66-71页 |
| ·poly-Si TFTs 漏电流 | 第71-72页 |
| ·模型验证和结果分析 | 第72-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 基于晶界离散分布的DG poly-Si TFTs漏电流模型 | 第79-94页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·DG poly-Si TFTs 漏电流模型推导 | 第80-89页 |
| ·沟道纵向电势的求解 | 第81-83页 |
| ·局部迁移率 | 第83-85页 |
| ·漏电流 | 第85-89页 |
| ·仿真结果与讨论 | 第89-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 结论 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-109页 |
| 附录 | 第109-111页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 附表 | 第114页 |
