| 中文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·GaN 材料的晶体结构及基本性质 | 第11-12页 |
| ·GaN 材料的研究概况 | 第12-20页 |
| ·Cr 材料的基本性质、应用和研究进展 | 第20-21页 |
| ·本论文的选题依据 | 第21-23页 |
| 第二章 实验设备与制备方法 | 第23-29页 |
| ·实验设备介绍 | 第23-25页 |
| ·实验材料 | 第25-26页 |
| ·样品的测试和表征 | 第26-29页 |
| 第三章 在Cr 中间层上催化合成一维GaN 纳米结构 | 第29-50页 |
| ·氨化溅射Ga_2O_3/Cr 薄膜制备GaN 纳米线 | 第29-30页 |
| ·氨化温度对合成一维GaN 纳米结构的影响 | 第30-38页 |
| ·氨化时间对合成一维GaN 纳米结构的影响 | 第38-43页 |
| ·Cr 层厚度对合成一维GaN 纳米结构的影响 | 第43-44页 |
| ·Si 衬底的粗糙程度对合成一维GaN 纳米结构的影响 | 第44-46页 |
| ·一维GaN 纳米结构生长机制探索 | 第46-49页 |
| 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 全文总结 | 第50-53页 |
| ·本论文的主要研究成果 | 第50-51页 |
| ·对以后工作的建议 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
