| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-31页 |
| 第一节 GaN的晶体结构和基本性质 | 第11-15页 |
| 第二节 GaN材料的研究进展 | 第15-21页 |
| 第三节 一维GaN纳米结构的生长方法 | 第21-29页 |
| 第四节 本论文的选题依据 | 第29-31页 |
| 第二章 实验设备和样品测试技术 | 第31-36页 |
| 第一节 实验设备介绍 | 第31-32页 |
| 第二节 样品的测试和表征技术 | 第32-36页 |
| 第三章 催化剂辅助CVD法制备一维GaN纳米结构的研究 | 第36-59页 |
| 第一节 一维GaN纳米结构的制备 | 第36-37页 |
| 第二节 反应温度对一维GaN 纳米结构的影响 | 第37-46页 |
| 第三节 反应时间对合成一维GaN纳米结构的影响 | 第46-49页 |
| 第四节 各种源的量对合成一维GaN纳米形貌的影响 | 第49-53页 |
| 第五节 衬底与氧化镓的距离对一维GaN纳米结构形貌的影响 | 第53-54页 |
| 第六节 GaN纳米结构的生长机制初探 | 第54-57页 |
| 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-71页 |
| 攻读硕士期间发表的论文目录 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |