| 中文摘要 | 第1-13页 |
| ABSTRACT | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-27页 |
| 第一节 自旋电子学简介 | 第17-18页 |
| 第二节 磁性半导体简介 | 第18-20页 |
| 第三节 Ge基磁性半导体的研究现状 | 第20-22页 |
| 第四节 ZnO基磁性半导体的研究现状 | 第22-23页 |
| 第五节 本文的研究动机和研究内容 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 样品的主要制备技术与测量分析方法 | 第27-41页 |
| 第一节 样品的主要制备技术 | 第27-33页 |
| ·分子束外延 | 第27-32页 |
| ·磁控溅射仪 | 第32-33页 |
| 第二节 薄膜样品的结构和成分测量分析方法 | 第33-38页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED) | 第33-34页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第34页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第34-36页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第36-38页 |
| 第三节 薄膜样品的磁性测量分析方法 | 第38-41页 |
| ·超导量子干涉仪(SQUID) | 第38-39页 |
| ·交变梯度磁强计(AGM) | 第39-41页 |
| 第三章 Mn掺杂Ge稀磁半导体的外延生长与性能研究 | 第41-51页 |
| 第一节 引言 | 第41页 |
| 第二节 Ge_(1-x)Mn_x稀释磁性半导体薄膜的制备 | 第41-42页 |
| 第三节 Ge_(1-x)Mn_x稀释磁性半导体薄膜结构、磁性和输运性能研究 | 第42-49页 |
| ·结构特性 | 第42-44页 |
| ·磁特性 | 第44-46页 |
| ·输运特性 | 第46-49页 |
| 第四节 小结 | 第49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第四章 基于Ge_(1-x)Mn_x单晶薄膜的p-n、p-i、p-p结输运性能的研究 | 第51-63页 |
| 第一节 引言 | 第51页 |
| 第二节 基于Ge_(1-x)Mn_x单晶薄膜的p-n、p-i、p-p结的制备 | 第51-53页 |
| 第三节 单晶Ge_(1-x)Mn_x/Ge结的输运性质 | 第53-60页 |
| 第四节 小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第五章 高Mn含量的Ge_(1-x)Mn_x非晶磁性半导体薄膜性能研究 | 第63-73页 |
| 第一节 引言 | 第63页 |
| 第二节 Ge_(1-x)Mn_x非晶磁性半导体薄膜的制备 | 第63-64页 |
| 第三节 Ge_(1-x)Mn_x薄膜结构、成分、磁性及输运特性的研究 | 第64-70页 |
| ·结构、成分及价态 | 第64-66页 |
| ·磁特性 | 第66-68页 |
| ·输运特性 | 第68-70页 |
| 第四节 小结 | 第70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 第六章 Co掺杂ZnO稀磁半导体的外延生长与性能研究 | 第73-85页 |
| 第一节 引言 | 第73页 |
| 第二节 Zn_(1-x)Co_xO单晶薄膜的制备过程 | 第73-76页 |
| 第三节 Zn_(1-x)Co_xO单晶薄膜结构、成分、光学及室温铁磁性研究 | 第76-82页 |
| ·结构特性 | 第76-78页 |
| ·成分及化学价态特性 | 第78-79页 |
| ·光学特性 | 第79-80页 |
| ·磁性和输运特性 | 第80-82页 |
| 第四节 小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第七章 高Fe含量Zn_(1-x)Fe_xO非匀质磁性半导体的性能研究 | 第85-95页 |
| 第一节 引言 | 第85页 |
| 第二节 高Fe含量Zn_(1-x)Fe_xO非匀质磁性半导体薄膜的制备过程 | 第85-86页 |
| 第三节 制备态与退火后的Zn_(1-x)Fe_xO薄膜的结构、磁性及输运特性的研究 | 第86-93页 |
| ·结构特性 | 第86-88页 |
| ·磁特性及输运特性 | 第88-93页 |
| 第四节 小结 | 第93页 |
| 参考文献 | 第93-95页 |
| 第八章 总结 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-99页 |
| 攻读博士学位期间发表的专业论文目录 | 第99-100页 |
| 附录 | 第100-108页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第108页 |
