| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·本课题研究的意义 | 第9-10页 |
| ·发展历史及现状 | 第10-11页 |
| ·本课题的研究内容 | 第11-12页 |
| ·论文章节安排 | 第12-14页 |
| 第二章 压控振荡器的基本原理 | 第14-22页 |
| ·振荡器概述 | 第14页 |
| ·LC 回路选频特性分析 | 第14-17页 |
| ·负阻LC 振荡器 | 第17-19页 |
| ·压控振荡器 | 第19-20页 |
| ·压控振荡器的主要参数 | 第20-22页 |
| 第三章 压控振荡器中的 SiGe HBT 器件 | 第22-33页 |
| ·HBT 器件概述 | 第22-23页 |
| ·SiGe HBT 器件基本原理 | 第23-25页 |
| ·HBT 的直流特性 | 第25页 |
| ·HBT 的频率特性 | 第25-26页 |
| ·HBT 的噪声源 | 第26-28页 |
| ·散粒噪声 | 第26-27页 |
| ·热噪声 | 第27页 |
| ·闪烁噪声、突发噪声和雪崩噪声 | 第27-28页 |
| ·HBT 器件噪声模型 | 第28-33页 |
| ·传统SPICE 噪声模型和热动力学噪声模型 | 第28-29页 |
| ·HBT 器件简化噪声模型 | 第29-33页 |
| 第四章 压控振荡器的相位噪声 | 第33-40页 |
| ·相位噪声概述 | 第33-34页 |
| ·相位噪声理论 | 第34-40页 |
| ·Leeson 模型 | 第34-36页 |
| ·Hajimiri 模型 | 第36-40页 |
| 第五章 SiGe BiCMOS 压控振荡器设计研究 | 第40-74页 |
| ·电路中的无源器件 | 第40-45页 |
| ·电感 | 第40-43页 |
| ·可变电容 | 第43页 |
| ·电容 | 第43-44页 |
| ·电阻 | 第44-45页 |
| ·压控振荡器的设计 | 第45-55页 |
| ·VCO 核心电路的拓扑结构 | 第45-46页 |
| ·SiGe HBT 器件的使用 | 第46-47页 |
| ·变容管的线性化 | 第47-51页 |
| ·VCO 整体结构 | 第51页 |
| ·压控振荡器的优化考虑 | 第51-55页 |
| ·设计约束 | 第55页 |
| ·振荡器的噪声 | 第55-62页 |
| ·负阻晶体噪声 | 第55-58页 |
| ·谐振槽路的噪声 | 第58-59页 |
| ·振荡器核心电路噪声模型 | 第59-62页 |
| ·电路仿真 | 第62-69页 |
| ·瞬态波形 | 第62-64页 |
| ·压控性能 | 第64-65页 |
| ·相位噪声 | 第65-68页 |
| ·性能指数（FOM） | 第68-69页 |
| ·压控振荡器版图的设计 | 第69-74页 |
| 第六章 结论 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第80-81页 |