| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| ·问题的提出和意义 | 第11页 |
| ·光子晶体介绍 | 第11-13页 |
| ·光子晶体的概念 | 第12页 |
| ·光子晶体的特性 | 第12-13页 |
| ·特异材料 | 第13-16页 |
| ·非线性材料 | 第13-14页 |
| ·负折射率材料 | 第14-15页 |
| ·特异材料的研究及应用 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 一维光子晶体的基本理论、计算方法、带隙分析 | 第18-32页 |
| ·一维光子晶体中电磁场特性分析的传输矩阵法 | 第18-21页 |
| ·一维光子晶体色散关系的理论证明及计算分析 | 第21-26页 |
| ·一维光子晶体带隙变化规律的研究 | 第26-31页 |
| ·周期数对传输特性的影响 | 第26-27页 |
| ·高低折射率比对传输特性的影响 | 第27-28页 |
| ·入射角对传输特性的影响 | 第28-29页 |
| ·引入缺陷对传输特性的影响 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 含有KERR 非线性介质的一维光子晶体的传输特性研究 | 第32-48页 |
| ·一维光子晶体非线性层模型及计算方法 | 第32-37页 |
| ·物理模型 | 第32-33页 |
| ·子层逆向递推传输矩阵算法 | 第33-35页 |
| ·子层逆向迭代差分算法 | 第35-37页 |
| ·光学双稳态形成的深层次原因及各参数对其影响 | 第37-46页 |
| ·缺陷层非线性折射率系数对光学双稳态的影响 | 第39页 |
| ·入射波频率微小移动对光学双稳态的影响 | 第39-41页 |
| ·非线性缺陷层左右周期数N 对光学双稳态的影响 | 第41-42页 |
| ·非线性缺陷层厚度对光学双稳态的影响 | 第42-44页 |
| ·厚度成倍增加时 | 第42-43页 |
| ·厚度微小移动时 | 第43-44页 |
| ·不同的入射角度对光学双稳态的影响 | 第44-45页 |
| ·两种介质折射率比对光学双稳态的影响 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 正负交替一维光子晶体的传输特性研究 | 第48-59页 |
| ·正负交替一维光子晶体的色散特性 | 第48-50页 |
| ·正负交替一维光子晶体的带隙特性 | 第50-58页 |
| ·超宽禁带与窄带透射 | 第50-51页 |
| ·宽禁带全方位带隙 | 第51-52页 |
| ·折射率比对光子带隙的影响 | 第52-53页 |
| ·引入缺陷对传输特性的影响 | 第53-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 含具有色散特性双负材料的一维光子晶体传输特性研究 | 第59-71页 |
| ·含双负材料的一维光子晶体的色散特性 | 第59-61页 |
| ·含双负材料的一维光子晶体的带隙特性 | 第61-70页 |
| ·B 层折射率及波矢随频率变化 | 第61-62页 |
| ·周期数对光子带隙的影响 | 第62页 |
| ·入射角度改变对光子带隙的影响 | 第62-63页 |
| ·A、B 层厚度改变对光子带隙的影响 | 第63-64页 |
| ·A、B 层折射率改变对光子带隙的影响 | 第64-65页 |
| ·引入缺陷的含双负材料一维光子晶体的局域特性 | 第65-70页 |
| ·插入正折射率缺陷 | 第66-67页 |
| ·插入负折射率缺陷 | 第67-68页 |
| ·替代方式引入缺陷 | 第68页 |
| ·引入多层缺陷 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 含单负材料的一维光子晶体传输特性研究. | 第71-88页 |
| ·负磁导率材料和负介电常数材料构成的一维光子晶体的色散特性 | 第71-73页 |
| ·负磁导率材料和负介电常数材料构成的一维光子晶体的带隙特性 | 第73-81页 |
| ·入射角度改变对光子带隙的影响 | 第74-75页 |
| ·A、B 层厚度改变对光子带隙的影响 | 第75-76页 |
| ·引入缺陷后的传输特性 | 第76-81页 |
| ·插入正折射率缺陷 | 第76-77页 |
| ·插入单负材料缺陷 | 第77-79页 |
| ·替代单负材料缺陷 | 第79-80页 |
| ·替代正折射率缺陷 | 第80-81页 |
| ·负磁导率材料和正折射率材料构成的一维光子晶体的传输特性 | 第81-84页 |
| ·两种不同的单负材料组成的光子晶体的传输特性 | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 第七章 总结与展望 | 第88-91页 |
| ·工作总结 | 第88-90页 |
| ·工作展望 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-97页 |
| 附录 | 第97-111页 |
| 作者攻硕期间取得的研究成果 | 第111-112页 |
