| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·垂直磁记录技术 | 第10页 |
| ·垂直磁记录介质特性参数 | 第10-11页 |
| ·磁性各向异性场 | 第10-11页 |
| ·饱和磁化强度 | 第11页 |
| ·磁性晶粒之间的交换耦合相互作用 | 第11页 |
| ·垂直磁记录材料的分类及发展 | 第11-13页 |
| ·传统垂直磁记录介质 | 第11-13页 |
| ·倾斜垂直磁记录介质 | 第13页 |
| ·热辅助垂直磁记录介质 | 第13页 |
| ·CoFE_2O_4 薄膜的制备方法及研究进展 | 第13-16页 |
| ·激光脉冲沉积法 | 第14页 |
| ·电化学沉积氧化法 | 第14-15页 |
| ·磁控溅射法 | 第15-16页 |
| ·钴铁氧体及研究应用 | 第16页 |
| ·本论文的研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 CoFE_2O_4 薄膜的制备、表征和测试 | 第18-27页 |
| ·实验方法及过程 | 第18页 |
| ·CoFE_2O_4 薄膜的制备 | 第18-24页 |
| ·基片的清洗 | 第18-19页 |
| ·Cu/ Si(100)的制备 | 第19页 |
| ·电化学制备CoFE_2O_4 薄膜 | 第19-22页 |
| ·电镀制备CoFe2 | 第19-21页 |
| ·镀液组成及工艺条件对电沉积合金成分的影响 | 第21-22页 |
| ·沉积速度的测定 | 第22页 |
| ·合金镀层的微观组分分析 | 第22页 |
| ·电化学沉积氧化法制备CoFE_2O_4 | 第22页 |
| ·磁控溅射法制备CoFE_2O_4 薄膜 | 第22-24页 |
| ·靶材的制备 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射制备CoFE_2O_4 薄膜 | 第23页 |
| ·本实验使用磁控溅射设备 | 第23-24页 |
| ·CoFE_2O_4 薄膜的分析和测试 | 第24-27页 |
| ·薄膜的相结构分析 | 第24-25页 |
| ·薄膜的微观形貌分析 | 第25页 |
| ·薄膜的磁性能测试 | 第25-27页 |
| 第三章 电镀COFE2工艺研究 | 第27-38页 |
| ·镀液成份浓度和电镀工艺条件对合金镀层中铁含量的影响 | 第27-31页 |
| ·硫酸亚钴浓度对镀层中铁含量的影响 | 第27-28页 |
| ·糖精浓度对镀层中铁含量的影响 | 第28-29页 |
| ·PH 值对镀层中铁含量的影响 | 第29-30页 |
| ·电流密度对镀层中铁含量的影响 | 第30-31页 |
| ·温度对镀层中铁含量的影响 | 第31页 |
| ·镀液成份浓度和电镀工艺条件对沉积速率的影响 | 第31-36页 |
| ·硫酸亚铁浓度和硫酸亚钴浓度对沉积速率的影响 | 第31-32页 |
| ·糖精浓度对沉积速率的影响 | 第32-33页 |
| ·PH 值对沉积速率的影响 | 第33-34页 |
| ·电流密度对沉积速率的影响 | 第34-35页 |
| ·温度对沉积速率的影响 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 电化学沉积氧化法制备CoFE_2O_4 薄膜的微观结构和磁性能 | 第38-46页 |
| ·CoFE_2O_4/CU/SI 薄膜的电化学沉积氧化法制备 | 第38页 |
| ·CoFE_2O_4/CU/SI 薄膜的微观结构与形貌分析 | 第38-40页 |
| ·CoFE_2O_4/Cu/Si 薄膜的微观结构 | 第38-40页 |
| ·CoFE_2O_4/Cu/Si 薄膜的形貌分析 | 第40页 |
| ·CoFE_2O_4/CU/SI 薄膜的磁性能 | 第40-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 磁控溅射制备CoFE_2O_4 薄膜的微观结构和磁性能 | 第46-55页 |
| ·薄膜制备 | 第46页 |
| ·CoFE_2O_4/CU/SI(100)薄膜的微观结构与形貌分析 | 第46-49页 |
| ·CoFE_2O_4/Cu/Si(100)薄膜的微观结构 | 第46-48页 |
| ·CoFE_2O_4/Cu/Si(100)薄膜的微观形貌分析 | 第48-49页 |
| ·CoFE_2O_4/CU/SI(100)薄膜的磁性能 | 第49-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第60-61页 |
