| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-28页 |
| ·概述 | 第9-10页 |
| ·有机半导体材料 | 第10-13页 |
| ·P 型半导体材料 | 第11-12页 |
| ·N 型有机半导体材料 | 第12-13页 |
| ·有机场效应晶体管的结构 | 第13-14页 |
| ·有机单晶场效应晶体管的制备 | 第14-24页 |
| ·单晶的生长 | 第14-17页 |
| ·场效应结构的制作 | 第17-21页 |
| ·微晶晶体管 | 第21-24页 |
| ·迁移率的测定及影响因素 | 第24-26页 |
| ·迁移率测定方法 | 第24-25页 |
| ·影响器件迁移率的因素 | 第25-26页 |
| ·存在的问题和发展前景 | 第26页 |
| ·本课题的目的、意义及创新之处 | 第26-28页 |
| ·本课题的目的和意义 | 第26-27页 |
| ·本课题的研究内容 | 第27页 |
| ·本课题的创新之处 | 第27-28页 |
| 第2章 实验方法及测试原理 | 第28-34页 |
| ·主要试剂及仪器设备 | 第28-29页 |
| ·主要试剂 | 第28页 |
| ·主要仪器 | 第28-29页 |
| ·有机半导体单晶的表征方法及原理 | 第29-34页 |
| ·红外光谱分析（IR） | 第29-30页 |
| ·拉曼光谱分析（Raman） | 第30页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第30页 |
| ·扫描电镜分析（SEM） | 第30-32页 |
| ·X 射线单晶衍射分析（XRD） | 第32页 |
| ·紫外可见吸收光谱分析（UV-vis） | 第32-33页 |
| ·光致发光荧光光谱分析(PL) | 第33-34页 |
| 第3章 溶液法生长大尺寸单晶蒽及其生长机制 | 第34-44页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·实验部分 | 第34-36页 |
| ·实验药品和仪器 | 第34-35页 |
| ·大尺寸单晶体的制备 | 第35页 |
| ·产物的表征 | 第35-36页 |
| ·实验结果及分析 | 第36-43页 |
| ·红外及拉曼光谱分析 | 第36-37页 |
| ·蒽单晶大面对应的晶面方面及表面形貌 | 第37-39页 |
| ·蒽单晶体的表面形貌 | 第39-40页 |
| ·蒽单晶体的截面形貌 | 第40-41页 |
| ·大的直台阶的形成原因及溶液法生长蒽单晶的生长机制 | 第41-42页 |
| ·蒽/蒽醌混晶体的生长及荧光性质 | 第42-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第4章 溶液法生长红荧烯单晶及其光学性质研究 | 第44-58页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·实验部分 | 第45-46页 |
| ·实验药品和仪器 | 第45页 |
| ·大尺寸单晶体的生长 | 第45页 |
| ·产物的表征 | 第45-46页 |
| ·实验结果及分析 | 第46-57页 |
| ·红外及拉曼光谱分析 | 第46-47页 |
| ·红荧烯单晶体的形貌特征 | 第47-51页 |
| ·大台阶的形成原因及溶液法生长红荧烯单晶的生长机制 | 第51-52页 |
| ·红荧烯及其过氧化物的光学性质 | 第52-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第5章 结论与展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第68页 |