| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·薄膜晶体管(TFT)在显示技术中的应用 | 第11-14页 |
| ·TFT在LCD中的应用 | 第11-12页 |
| ·TFT在AMOLED中的应用 | 第12-13页 |
| ·LCD和AMOLED技术对TFT性能的要求 | 第13-14页 |
| ·Si-TFT的应用 | 第14-15页 |
| ·α-Si技术 | 第14页 |
| ·p-Si技术 | 第14-15页 |
| ·Si-TFT所面临的问题 | 第15页 |
| ·ZnO技术及其在TFT领域中的应用 | 第15-28页 |
| ·ZnO技术的发展 | 第15-16页 |
| ·ZnO在TFT技术中的应用 | 第16-23页 |
| ·掺杂ZnO在TFT技术中的应用 | 第23-26页 |
| ·纳米ZnO结构在晶体管技术中的应用 | 第26-28页 |
| ·本论文研究内容 | 第28-29页 |
| 第二章 实验设备及表征方法 | 第29-37页 |
| ·样品的淀积设备 | 第29-33页 |
| ·离子束溅射 | 第29-30页 |
| ·直流磁控溅射 | 第30-32页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第32-33页 |
| ·样品的表征手段 | 第33-37页 |
| ·原位X射线衍射测试(In-situ XRD) | 第33-35页 |
| ·ZnO-TFT的测试 | 第35-37页 |
| 第三章 ZnO薄膜特性研究 | 第37-66页 |
| ·离子束溅射淀积ZnO薄膜特性研究 | 第37-50页 |
| ·样品设计及制备 | 第38页 |
| ·ZnO薄膜的原位X射线衍射测试 | 第38-40页 |
| ·在氧气条件下不同温度退火对ZnO薄膜特性的影响 | 第40-43页 |
| ·在氮气条件下不同温度退火对ZnO薄膜特性的影响 | 第43-45页 |
| ·在不同气氛条件下退火温度对ZnO薄膜特性的影响 | 第45-49页 |
| ·ZnO薄膜内部应力的产生原因分析 | 第46-49页 |
| ·ZnO薄膜电学特性分析 | 第49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| ·直流磁控溅射淀积ZnO薄膜特性研究 | 第50-60页 |
| ·样品设计及制备 | 第50-51页 |
| ·高纯氩气下淀积的ZnO薄膜特性随衬底温度的变化 | 第51-54页 |
| ·氧氩混合气氛下淀积的ZnO薄膜特性随衬底温度的变化 | 第54-57页 |
| ·不同淀积气氛对ZnO薄膜特性的影响 | 第57-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| ·溶胶凝胶法淀积ZnO薄膜特性研究 | 第60-64页 |
| ·样品的设计与制备 | 第60页 |
| ·ZnO薄膜的性质随温度的变化 | 第60-64页 |
| ·小结 | 第64页 |
| ·ZnO薄膜的不同淀积方法比较 | 第64-65页 |
| ·本章总结 | 第65-66页 |
| 第四章 ZnO薄膜异质结特性研究 | 第66-82页 |
| ·异质结的工作原理 | 第66-69页 |
| ·隧道-复合电流 | 第67-68页 |
| ·空间电荷限制电流 | 第68-69页 |
| ·样品的设计与制备 | 第69-70页 |
| ·n-ZnO薄膜/p-Si异质结电学特性 | 第70-71页 |
| ·n-ZnO薄膜/p-Si异质结导电机理研究 | 第71-81页 |
| ·n-ZnO薄膜/p-Si异质结电容-电压特性 | 第72-73页 |
| ·n-ZnO薄膜/p-Si异质结正反向电流-电压特性 | 第73-76页 |
| ·n-ZnO薄膜/p-Si异质结载流子输运机理分析 | 第76-78页 |
| ·n-ZnO薄膜/p-Si异质结的变温测试结果 | 第78-81页 |
| ·本章总结 | 第81-82页 |
| 第五章 ZnO薄膜晶体管性能研究 | 第82-119页 |
| ·ZnO薄膜晶体管的基本结构和器件性能表征 | 第82-86页 |
| ·离子束溅射制备ZnO薄膜晶体管性能研究 | 第86-94页 |
| ·ZnO-TFT器件的设计与制备 | 第86-88页 |
| ·不同退火气氛对ZnO-TFT器件特性的影响 | 第88-89页 |
| ·不同退火温度对ZnO-TFT器件性能的影响 | 第89-92页 |
| ·不同退火时间对ZnO-TFT器件性能的影响 | 第92-94页 |
| ·小结 | 第94页 |
| ·采用溶胶凝胶法制备ZnO薄膜晶体管 | 第94-110页 |
| ·ZnO-TFT器件的设计与制备 | 第95-96页 |
| ·不同后期退火温度对ZnO-TFT器件性能的影响 | 第96-99页 |
| ·ZnO-TFT器件的稳定性研究 | 第99-101页 |
| ·ZnO源-栅晶体管研究 | 第101-106页 |
| ·In掺杂ZnO(IZO)薄膜晶体管研究 | 第106-110页 |
| ·小结 | 第110页 |
| ·Ga、In掺杂ZnO(GIZO)薄膜晶体管研究 | 第110-116页 |
| ·GIZO-TFT器件的设计与制备 | 第111-112页 |
| ·薄膜的物相特性和表面形貌 | 第112-113页 |
| ·热处理对GIZO-TFT器件性能的影响 | 第113-116页 |
| ·小结 | 第116页 |
| ·本章总结 | 第116-119页 |
| 第六章 ZnO纳米结构晶体管研究 | 第119-128页 |
| ·样品设计及制备 | 第119-120页 |
| ·ZnO纳米棒的材料特性 | 第120-121页 |
| ·ZnO纳米棒的电学接触研究 | 第121-124页 |
| ·ZnO纳米棒阵列晶体管特性研究 | 第124-127页 |
| ·本章总结 | 第127-128页 |
| 第七章 总结与展望 | 第128-131页 |
| 参考文献 | 第131-140页 |
| 攻读博士期间发表论文 | 第140-142页 |
| 致谢 | 第142-143页 |
