Si、Al掺杂石墨烯吸附Hg~0的密度泛函理论研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题的研究背景 | 第9-10页 |
| 1.1.1 汞污染的危害和来源 | 第9页 |
| 1.1.2 国家治理标准 | 第9-10页 |
| 1.2 脱汞技术研究进展 | 第10-14页 |
| 1.2.1 烟气中汞的存在形态及脱除 | 第10页 |
| 1.2.2 吸附剂脱汞的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.3 石墨烯研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 课题目标和研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 第一性原理计算方法 | 第16-22页 |
| 2.1 第一性原理 | 第16-17页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第17-19页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn理论 | 第18页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第18页 |
| 2.2.3 局域密度近似 | 第18-19页 |
| 2.2.4 广义梯度近似 | 第19页 |
| 2.3 基组和赝势 | 第19-20页 |
| 2.3.1 平面波基组 | 第19-20页 |
| 2.3.2 赝势 | 第20页 |
| 2.4 软件介绍 | 第20-21页 |
| 2.4.1 Material Studio | 第20页 |
| 2.4.2 Dmol3程序包 | 第20-21页 |
| 2.5 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 Hg~0在原生和缺陷石墨烯表面的吸附 | 第22-31页 |
| 3.1 计算方法 | 第22-23页 |
| 3.2 Hg~0在原生石墨烯表面的吸附 | 第23-26页 |
| 3.3 Hg~0在缺陷石墨烯表面的吸附 | 第26-30页 |
| 3.3.1 石墨烯缺陷介绍 | 第26页 |
| 3.3.2 单缺陷石墨烯对汞的吸附 | 第26-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第4章 Si和Al单原子掺杂对Hg~0吸附的影响 | 第31-42页 |
| 4.1 计算方法 | 第31-32页 |
| 4.2 单原子掺杂石墨烯介绍 | 第32-37页 |
| 4.2.1 单硅原子掺杂石墨烯 | 第32-34页 |
| 4.2.2 单铝原子掺杂石墨烯 | 第34-36页 |
| 4.2.3 两种掺杂结构的比较 | 第36-37页 |
| 4.3 Hg~0在单原子掺杂石墨烯表面的吸附 | 第37-40页 |
| 4.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第5章 掺杂数目和位置对Hg~0吸附的影响 | 第42-50页 |
| 5.1 计算方法 | 第42-43页 |
| 5.2 单缺陷位掺杂原子个数对Hg~0吸附的影响 | 第43-45页 |
| 5.2.1 单缺陷位硅原子个数的影响 | 第43-44页 |
| 5.2.2 单缺陷位铝原子个数的影响 | 第44-45页 |
| 5.3 掺杂位置对Hg~0吸附的影响 | 第45-47页 |
| 5.4 掺杂单元数目对Hg~0吸附的影响 | 第47-49页 |
| 5.4.1 铝原子掺杂数目的影响 | 第47-48页 |
| 5.4.2 硅原子掺杂数目的影响 | 第48-49页 |
| 5.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第6章 结论与展望 | 第50-52页 |
| 6.1 结论 | 第50页 |
| 6.2 展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
