| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 课题背景 | 第8页 |
| 1.2 非易失性存储器及其逻辑研究 | 第8-11页 |
| 1.3 相变存储器与超晶格相变材料 | 第11-17页 |
| 1.4 本文的主要工作和结构安排 | 第17-19页 |
| 2 超晶格相变单元制备及其电特性测试 | 第19-27页 |
| 2.1 超晶格相变单元制备 | 第19-21页 |
| 2.2 超晶格相变单元电特性测试 | 第21-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 超晶格相变单元的基本逻辑设计与验证 | 第27-45页 |
| 3.1 基于磁场触发的超晶格相变逻辑器件 | 第27-29页 |
| 3.2 基于磁场触发的超晶格相变单元SPICE模型 | 第29-31页 |
| 3.3 逻辑与、与非的实现 | 第31-39页 |
| 3.4 逻辑或非、同或、非的实现 | 第39-41页 |
| 3.5 逻辑或、异或的实现 | 第41-43页 |
| 3.6 逻辑电路性能分析 | 第43-44页 |
| 3.7 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 多个超晶格相变单元的逻辑设计 | 第45-54页 |
| 4.1 多输入的逻辑与、或非 | 第45-47页 |
| 4.2 多输入的逻辑与非、或 | 第47-48页 |
| 4.3 一位半加器设计 | 第48-51页 |
| 4.4 一位逻辑运算器设计 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 基于超晶格相变单元逻辑设计的特色分析 | 第54-56页 |
| 5.1 创新性分析 | 第54页 |
| 5.2 实用性分析 | 第54-56页 |
| 6 总结与展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 附录 攻读学位期间发表论文情况 | 第64页 |