| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-32页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 石墨烯的基本特性 | 第11-14页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构特点 | 第11-12页 |
| 1.2.2 石墨烯的光学和电学性质 | 第12-13页 |
| 1.2.3 石墨烯的力学和热学性质 | 第13-14页 |
| 1.3 石墨烯的制备方法 | 第14-18页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第14-15页 |
| 1.3.2 化学气相沉积法(CVD) | 第15-17页 |
| 1.3.3 氧化石墨烯还原法 | 第17-18页 |
| 1.3.4 原位生长法 | 第18页 |
| 1.4 石墨烯的表征技术 | 第18-24页 |
| 1.4.1 光学显微镜 | 第19页 |
| 1.4.2 透射电子显微镜(TEM) | 第19-21页 |
| 1.4.3 扫描隧道显微镜(STM) | 第21页 |
| 1.4.4 原子力显微镜(AFM) | 第21-22页 |
| 1.4.5 拉曼光谱 | 第22-24页 |
| 1.5 石墨烯的掺杂改性 | 第24-27页 |
| 1.5.1 元素掺杂 | 第24-26页 |
| 1.5.2 分子掺杂 | 第26-27页 |
| 1.5.3 金属掺杂 | 第27页 |
| 1.6 石墨烯的应用前景 | 第27-28页 |
| 1.6.1 透明电极 | 第27页 |
| 1.6.2 超级电容器 | 第27-28页 |
| 1.6.3 光电探测器[78-80] | 第28页 |
| 1.7 紫外光电探测器的基本概况[81] | 第28-30页 |
| 1.7.1 光电导探测器(photoconductors) | 第29页 |
| 1.7.2 肖特基光电探测器 | 第29-30页 |
| 1.7.3 金属-半导体-金属(MSM)光电探测器 | 第30页 |
| 1.8 本文的选题目、意义以及研究内容 | 第30-32页 |
| 1.8.1 本论文选题目的与意义 | 第30页 |
| 1.8.2 本论文的研究内容 | 第30-32页 |
| 第二章 CVD方法生长石墨烯及石墨烯能带调制 | 第32-51页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 实验设备与试剂 | 第32-33页 |
| 2.3 实验部分 | 第33-36页 |
| 2.3.1 石墨烯的CVD生长 | 第33-34页 |
| 2.3.2 石墨烯的转移和掺杂 | 第34-35页 |
| 2.3.3 表征方法 | 第35-36页 |
| 2.4 结果与分析 | 第36-49页 |
| 2.4.1 石墨烯和Ag掺杂石墨烯结构分析 | 第36-42页 |
| 2.4.2 石墨烯和Ag掺杂石墨烯光学性质分析 | 第42-45页 |
| 2.4.3 石墨烯和Ag掺杂石墨烯电学性质分析 | 第45-46页 |
| 2.4.4 Au掺杂石墨烯性能的简单探究 | 第46-49页 |
| 2.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第三章 PFO(or Graphene/ZnO有机-无机复合紫外探测器 | 第51-67页 |
| 3.1 引言 | 第51-52页 |
| 3.2 实验设备与试剂、材料 | 第52页 |
| 3.3 实验部分 | 第52-55页 |
| 3.3.1 ITO的表面修饰 | 第52-53页 |
| 3.3.2 基于ZnO和PFO的无机-有机复合紫外探测器 | 第53-54页 |
| 3.3.3 石墨烯-ZnO薄膜复合的光电探测器 | 第54页 |
| 3.3.5 表征方法 | 第54-55页 |
| 3.4 结果与分析 | 第55-65页 |
| 3.4.1 ITO表面化学态与浸润性分析 | 第55-56页 |
| 3.4.2 器件结构与材料结构分析 | 第56-59页 |
| 3.4.3 光学性质分析 | 第59-62页 |
| 3.4.4 器件性能分析 | 第62-65页 |
| 3.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第四章 全文总结 | 第67-69页 |
| 4.1 主要结果 | 第67-68页 |
| 4.2 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-78页 |
| 攻读硕士期间完成的科研成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
