| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 接触电阻的简介 | 第12-14页 |
| 1.2 国内外现状分析 | 第14-17页 |
| 1.3 Silicide形成技术 | 第17-20页 |
| 1.4 本论文的工作意义、目的及内容 | 第20-21页 |
| 第二章 NiSiGe的薄层电阻率研究 | 第21-36页 |
| 2.1 制备工艺 | 第22-28页 |
| 2.1.1 硅片清洗工艺 | 第24页 |
| 2.1.2 光刻工艺 | 第24-26页 |
| 2.1.3 热蒸镀 | 第26-27页 |
| 2.1.4 原子层沉积 | 第27-28页 |
| 2.2 薄膜表征 | 第28-30页 |
| 2.2.1 台阶厚度测试 | 第28-29页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱 | 第29-30页 |
| 2.3 电学性能表征 | 第30-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 NiSiGe的功函数研究 | 第36-48页 |
| 3.1 功函数-平带电压关系提取 | 第39-43页 |
| 3.2 NiSi_(1-x)Ge_x功函数提取 | 第43-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 NiSiGe/p-Ge比接触电阻率研究 | 第48-56页 |
| 4.1 比接触电阻率的提取方法 | 第51页 |
| 4.2 制备工艺 | 第51-53页 |
| 4.3 电学性能表征 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 NiSiGe的电学性质对pFinFET的的影响 | 第56-64页 |
| 5.1 器件模型 | 第57-59页 |
| 5.2 电学性能模拟 | 第59-63页 |
| 5.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 攻读硕士期间的主要研究成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |