摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-23页 |
1.1 纳米材料和纳米器件的研究背景 | 第11-12页 |
1.2 外尔半金属、黑磷的研究进展 | 第12-14页 |
1.2.1 外尔半金属简介 | 第12-13页 |
1.2.2 黑磷简介 | 第13-14页 |
1.3 理论方法及内容 | 第14-21页 |
1.3.1 紧束缚近似模型简介 | 第14-15页 |
1.3.2 散射矩阵方法和格林函数简介 | 第15-17页 |
1.3.3 Hatree-Fock方法与密度泛函理论 | 第17-21页 |
1.4 本文主要内容 | 第21-23页 |
第二章 外尔半金属上双磁垒的电子输运 | 第23-38页 |
2.1 引言 | 第23-24页 |
2.2 模型与方法 | 第24-27页 |
2.3 结果和讨论 | 第27-37页 |
2.3.1 方形双磁垒的电子输运 | 第27-31页 |
2.3.2 Delta函数型双磁垒的电子输运 | 第31-36页 |
2.3.3 巨磁阻效应 | 第36-37页 |
2.4 小结 | 第37-38页 |
第三章 周期磁场下外尔半金属中电子的输运性质 | 第38-48页 |
3.1 引言 | 第38-39页 |
3.2 模型与方法 | 第39-42页 |
3.3 结果与讨论 | 第42-47页 |
3.3.1 方形周期磁垒的电子输运 | 第45-46页 |
3.3.2 Delta函数型周期磁垒的电子输运 | 第46页 |
3.3.3 磁阻效应 | 第46-47页 |
3.4 小结 | 第47-48页 |
第四章 边缘修饰的锯齿形黑磷纳米器件的负微分电阻现象 | 第48-56页 |
4.1 引言 | 第48-49页 |
4.2 模型与方法 | 第49-50页 |
4.3 结果与讨论 | 第50-54页 |
4.4 小结 | 第54-56页 |
总结 | 第56-58页 |
参考文献 | 第58-65页 |
致谢 | 第65-66页 |
附录A (攻读学位期间发表的论文) | 第66-67页 |
附录B (攻读学位期间参加的科研项目及获得荣誉) | 第67页 |