| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 纳米材料与纳米器件研究背景 | 第11页 |
| 1.2 石墨烯、黑磷、C3N等二维材料的研究进展 | 第11-17页 |
| 1.2.1 石墨烯及其古斯-汉欣位移研究综述 | 第11-14页 |
| 1.2.2 黑磷、C3N研究综述 | 第14-17页 |
| 1.3 理论研究方法 | 第17-25页 |
| 1.3.1 紧束缚近似模型 | 第17-19页 |
| 1.3.2 散射矩阵方法与格林函数 | 第19-21页 |
| 1.3.3 第一性原理计算 | 第21-25页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 应力作用下单层黑磷的古斯-汉欣位移 | 第27-40页 |
| 2.1 引言 | 第27-28页 |
| 2.2 模型和方法 | 第28-36页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第36-39页 |
| 2.4 小结 | 第39-40页 |
| 第三章 边缘化学修饰对C_3N锯齿形纳米带输运性质的影响 | 第40-48页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 结构与计算方法 | 第41-43页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第43-47页 |
| 3.4 小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 附录A (攻读学位期间发表的论文) | 第57-58页 |
| 附录B (攻读学位期间参与的科研项目及获得的荣誉) | 第58页 |