| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物材料 | 第10-14页 |
| 1.2.1 Ⅲ族氮化物的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 Ⅲ族氮化物制备LED的优势 | 第12-14页 |
| 1.3 GaN基LED的发展历史 | 第14-15页 |
| 1.4 关键科学问题及研究现状 | 第15-19页 |
| 1.4.1 反向漏电流输运机制 | 第15-16页 |
| 1.4.2 高场退化和击穿行为 | 第16-18页 |
| 1.4.3 效率下降的物理机制 | 第18-19页 |
| 1.5 论文的主要研究内容、创新点与组织架构 | 第19-22页 |
| 第二章 GaN基LED器件的实验制备与测试 | 第22-38页 |
| 2.1 LED的工作原理 | 第22-23页 |
| 2.2 外延生长 | 第23-28页 |
| 2.2.1 图形化蓝宝石衬底的制备 | 第23-25页 |
| 2.2.2 金属有机物化学气相淀积 | 第25-27页 |
| 2.2.3 外延材料的制备 | 第27-28页 |
| 2.3 器件制备 | 第28-33页 |
| 2.3.1 台面光刻 | 第28-29页 |
| 2.3.2 电流阻挡层光刻 | 第29-30页 |
| 2.3.3 透明导电层光刻 | 第30页 |
| 2.3.4 焊盘光刻 | 第30-33页 |
| 2.4 样品的电学和光学特性测试 | 第33-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 GaN基LED反向漏电流输运机制研究 | 第38-50页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 载流子输运机制 | 第38-42页 |
| 3.2.1 隧穿机制 | 第38-40页 |
| 3.2.2 跳跃机制 | 第40-41页 |
| 3.2.3 Frenkel-Poole发射机制 | 第41-42页 |
| 3.3 变温电学和低频噪音测试系统 | 第42-44页 |
| 3.4 隧穿-跳跃输运模型 | 第44-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 反向高压下GaN基LED的电流动态退化和击穿行为研究 | 第50-63页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 微光显微镜、光束诱导电阻变化和聚焦离子束测试系统 | 第50-53页 |
| 4.3 LED电流动态退化行为研究 | 第53-58页 |
| 4.3.1 LED失效的基本概念 | 第53-54页 |
| 4.3.2 双参数韦伯分布 | 第54页 |
| 4.3.3 电流动态退化行为和失效机理分析 | 第54-58页 |
| 4.4 电流击穿行为研究 | 第58-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 GaN基LED效率下降机制研究 | 第63-76页 |
| 5.1 引言 | 第63页 |
| 5.2 效率下降效应 | 第63-66页 |
| 5.2.1 效率下降产生机制 | 第63-65页 |
| 5.2.2 内量子效率和ABC模型 | 第65-66页 |
| 5.3 不同机制对量子效率影响的理论研究 | 第66-68页 |
| 5.4 变温光学测试系统 | 第68-69页 |
| 5.5 变温发光效率下降机制研究 | 第69-74页 |
| 5.5.1 空穴冻析效应对正向电流传输的影响 | 第69-71页 |
| 5.5.2 效率下降的温度依赖特性分析 | 第71-74页 |
| 5.6 本章小结 | 第74-76页 |
| 第六章 主要结论与展望 | 第76-78页 |
| 6.1 主要结论 | 第76-77页 |
| 6.2 展望 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-88页 |
| 附录:作者在攻读博士学位期间取得的成果 | 第88页 |