| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-36页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 光电探测器的性能参数 | 第11-12页 |
| 1.3 光电探测器的发展方向 | 第12-14页 |
| 1.4 一维金属硫族微纳结构的制备及光电探测研究进展 | 第14-33页 |
| 1.5 本论文的选题意义和研究内容 | 第33-36页 |
| 2 基于CdS/P3HT的压电调控自供能宽光谱光电探测器 | 第36-54页 |
| 2.1 引言 | 第36-37页 |
| 2.2 实验药品和仪器设备 | 第37-39页 |
| 2.3 CdS微米线的合成及CdS/P3HT光电探测器的制备 | 第39-44页 |
| 2.4 CdS/P3HT器件的光电探测性能测试与分析 | 第44-50页 |
| 2.5 CdS/P3HT器件的压电-光电探测性能测试与分析 | 第50-53页 |
| 2.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 3 基于CdS/rGO的压电增强型宽光谱响应的自供能光电探测器 | 第54-71页 |
| 3.1 引言 | 第54-55页 |
| 3.2 实验药品和仪器设备 | 第55-57页 |
| 3.3 CdS纳米棒阵列的合成及CdS/rGO光电探测器的制备 | 第57-63页 |
| 3.4 CdS/rGO器件的光电探测性能与分析 | 第63-67页 |
| 3.5 CdS/rGO器件的光电探测性能与分析 | 第67-69页 |
| 3.6 本章小结 | 第69-71页 |
| 4 基于硫族拓扑绝缘体Sb_2Te_3红外电极的宽光谱光电探测器 | 第71-91页 |
| 4.1 引言 | 第71-73页 |
| 4.2 实验药品和仪器设备 | 第73-74页 |
| 4.3 CdS纳米带的合成及Sb_2Te_3电极的制备 | 第74-83页 |
| 4.4 CdS/Sb_2Te_3器件的光电探测性能测试与分析 | 第83-89页 |
| 4.5 本章小结 | 第89-91页 |
| 5 总结与展望 | 第91-95页 |
| 5.1 总结 | 第91-93页 |
| 5.2 主要创新点 | 第93页 |
| 5.3 展望 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-112页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第112页 |
